[發明專利]硅晶圓的研磨方法及磊晶晶圓的制造方法有效
| 申請號： | 201480021816.0 | 申請日： | 2014-03-13 |
| 公開（公告）號： | CN105144350B | 公開（公告）日： | 2018-08-03 |
| 發明（設計）人： | 佐藤英樹 | 申請（專利權）人： | 信越半導體株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/304 | 分類號： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 謝順星;張晶 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅晶圓 研磨 方法 磊晶晶圓 制造 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅晶圓的研磨方法，其是對硅晶圓實施鏡面研磨工序的研磨方法，其特征在于，
在所述鏡面研磨工序中，對所述硅晶圓進行粗研磨，然后，對于硅晶圓的整個表面，通過利用臭氧水的氧化處理以及通過利用氫氟酸蒸氣或氫氟酸水溶液的氧化膜去除處理，進行去除附著在硅晶圓的表面上的金屬雜質的處理，再進行完工研磨。
2.根據權利要求1所述的硅晶圓的研磨方法，其特征在于，對所述進行金屬雜質去除處理后的硅晶圓進行RCA清洗。
3.根據權利要求1所述的硅晶圓的研磨方法，其特征在于，對所述進行完工研磨后的硅晶圓進行完工清洗。
4.根據權利要求2所述的硅晶圓的研磨方法，其特征在于，對所述進行完工研磨后的硅晶圓進行完工清洗。
5.一種磊晶晶圓的制造方法，其特征在于，在通過權利要求1至4中任一項所述的硅晶圓的研磨方法實施鏡面研磨工序后的硅晶圓的表面上形成磊晶層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
