[發(fā)明專利]具有高集成密度的薄膜電容器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480020909.1 | 申請日: | 2014-01-27 |
| 公開(公告)號: | CN105122490A | 公開(公告)日: | 2015-12-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | D.哈特曼;A.卡尼茨;W.坎特萊納;G.馬斯;G.施密德;D.塔羅塔;M.阿克希波瓦 | 申請(專利權(quán))人: | 西門子公司 |
| 主分類號: | H01L49/02 | 分類號: | H01L49/02;C07C277/00;C07C279/00;C07F9/38;H01G4/33;H01B3/18;H01G4/14;H05K1/16 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 宋莉 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 集成 密度 薄膜 電容器 | ||
1.一種用于薄膜電容器的雙層電介質(zhì)層,其特征在于,
a)下面的第一層(4)包括含磷氧化合物的自組裝單層,以及
b)上面的第二層(5)包括含胍化合物的平面化層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層電介質(zhì)層,其特征在于,所述胍化合物選自胍鹽、雙-胍鹽和胍甜菜堿。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的雙層電介質(zhì)層,其中所述平面化層(5)包括胍鹽,該胍鹽的陽離子滿足下式(IV):
其中Rp=具有支鏈的、不含支鏈的或環(huán)狀的C1-C20烷基、雜烷基、芳基、雜芳基,以及R1-R4彼此獨(dú)立地選自具有支鏈的或不含支鏈的C1-C20烷基、雜烷基、低聚醚、低聚酯、低聚酰胺、低聚丙烯酰胺。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的雙層電介質(zhì)層,其中所述平面化層(5)的胍化合物包含選自以下的陰離子:氟磷酸根、氟硼酸根、苯基硼酸根、磺酰亞胺根、三氟甲磺酸根、雙(三氟甲基磺酰)亞胺根、磺酸根、硫酸根、氯離子、溴離子和/或安息香酸根。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的雙層電介質(zhì)層,其中所述平面化層(5)的厚度小于或等于10000nm。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的雙層電介質(zhì)層,其中所述自組裝單層(4)的磷氧化合物選自有機(jī)膦酸、有機(jī)膦酸酯或膦酸酰胺。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的雙層電介質(zhì)層,其中所述自組裝單層(4)的磷氧化合物滿足以下通式(VI):
CH3-(CH2)n-PO(OH)2
式(VI)
其中n大于或等于2且小于或等于25。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的雙層電介質(zhì)層,其中所述平面化層(5)額外具有聚合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的雙層電介質(zhì)層,其中所述聚合物選自環(huán)氧樹脂、聚丙烯酸酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚苯并噁唑、聚偏二氟乙烯、聚乙烯化合物、聚咔唑和苯酚/甲醛的化合物。
10.用于制造具有根據(jù)權(quán)利要求1~9中任一項(xiàng)所述的雙層電介質(zhì)層的薄膜電容器的方法,其包括以下步驟:
i)提供具有第一電極(2)的襯底載體(1),
ii)施加包含有機(jī)磷氧化合物的自組裝單層(4),
iii)施加包含胍化合物的平面化層(5),以及
iv)施加第二金屬層(6)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于制造薄膜電容器的方法,其中通過旋涂、縫涂、印刷、離心旋轉(zhuǎn)、浸涂、幕涂或刮涂來施加所述自組裝單層(4)和/或施加平面化層(5)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的用于制造具有雙層電介質(zhì)層的薄膜電容器的方法,其中所述平面化層(5)額外包括可交聯(lián)的化合物,并且在另一方法步驟中所述可交聯(lián)的化合物彼此交聯(lián)在一起。
13.一種電子元件,其具有第一電極層(2)、根據(jù)權(quán)利要求1~9中任一項(xiàng)所述的雙層電介質(zhì)層和布置在所述電介質(zhì)層之上的第二電極層(6),其中所述雙層電介質(zhì)層包括含磷氧化合物的自組裝單層(4)和含胍化合物的平面化層(5)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子元件,其中所述元件是電子電路中的存儲電容器。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的電子元件,其中所述電子元件被布置在印刷電路板襯底、預(yù)浸料坯或印刷電路板上。
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