[發明專利]濺射靶及其制造方法

在審

• 申請號: 201480020879.4
• 申請日: 2014-04-10
• 公開（公告）號: CN105121695A
• 公開（公告）日: 2015-12-02
• 發明（設計）人: 張守斌;梅本啟太;小路雅弘
• 申請（專利權）人: 三菱綜合材料株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C22C9/00
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;王珍仙

1.一種濺射靶，其為具有如下成分組成的燒結體，即作為金屬元素含有Ga：10～40原子％、Na：0.1～15原子％，且殘余部分由Cu及不可避免雜質構成，所述濺射靶的特征在于，

在所述燒結體中，以由硫酸鈉、亞硫酸鈉、硒酸鈉及亞硒酸鈉中的至少1種構成的Na化合物來含有Na，

所述燒結體具有Na化合物相分散的組織，所述Na化合物相的平均粒徑為10.0μm以下。

2.根據權利要求1所述的濺射靶，其中，

在所述燒結體中，0.05mm²以上的Na化合物的凝集體在靶表面的1cm²面積內為平均1個以下。

3.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其中，

所述燒結體的理論密度比為90％以上，抗折強度為100N/mm²以上，體積電阻率為lmΩ·cm以下。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的濺射靶，其中，

所述燒結體中的金屬相的平均晶體粒徑為20μm以下。

5.一種濺射靶的制造方法，其特征在于，具有：

混合由硫酸鈉、亞硫酸鈉、硒酸鈉及亞硒酸鈉中的至少1種構成的Na化合物粉末和Cu-Ga粉末而制作混合粉末的工序；及燒結所述混合粉末而制作燒結體的工序，

所述Cu-Ga粉末由Cu-Ga合金粉末構成或者由Cu-Ga合金粉末和Cu粉末構成，平均粒徑為1～45μm，粒徑30μm以下的粒子占所述Cu-Ga粉末的粉末總重量的50質量％以上。

6.根據權利要求5所述的濺射靶的制造方法，其中，

在制作所述混合粉末的工序之前，具有在70℃以上的溫度下干燥所述Na化合物粉末的工序。

7.根據權利要求5或6所述的濺射靶的制造方法，其中，

在制作所述混合粉末的工序之后，具有在70℃以上的溫度下干燥所述混合粉末的工序。

8.根據權利要求5至7中任一項所述的濺射靶的制造方法，其中，

在燒結所述混合粉末的工序中，在非氧化性氣氛或真空中燒結所述混合粉末。