[發明專利]氣體制造裝置

有效

• 申請號: 201480018716.2
• 申請日: 2014-03-19
• 公開（公告）號: CN105102683B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 佐藤尚俊
• 申請（專利權）人: 富士膠片株式會社;人工光合成化學工藝技術研究組合
• 主分類號: C25B9/00
• 分類號: C25B9/00;C25B11/04;C25B11/08;H01L31/04
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,黃綸偉

1.一種氣體制造裝置，其特征在于，該氣體制造裝置具有：

元件層疊體，其是將多個元件以串聯連接的方式層疊而得到的，所述多個元件各自具有受光部，并形成有具備pn結的半導體薄膜；

氫氣生成部，其形成于所述多個元件中的、處于所述元件層疊體的一個端部的第1元件的正面，生成氫氣；

第1電解室，其包含所述氫氣生成部，收納與所述氫氣生成部接觸的電解水溶液、和所生成的氫氣；

氧氣生成部，其形成于所述多個元件中的、處于所述元件層疊體的另一個端部的第2元件的形成有所述半導體薄膜的導電性基板的背面，生成氧氣；

第2電解室，其包含所述氧氣生成部，收納與所述氧氣生成部接觸的電解水溶液、和所生成的氧氣；以及

具有離子透過性和非透氣性的隔膜，其設置于所述第1電解室與所述第2電解室之間，

所述第1元件由多個副元件構成，這多個副元件相對于所述第2元件離散地配置在該第2元件上。

2.根據權利要求1所述的氣體制造裝置，其中，

所述氫氣生成部具有氫生成面，該氫生成面形成于所述第1元件的所述半導體薄膜的正面。

3.根據權利要求1所述的氣體制造裝置，其中，

所述多個副元件的元件面積比所述第2元件小。

4.根據權利要求1或2所述的氣體制造裝置，其中，

所述氧氣生成部具有氧生成面，該氧生成面形成于所述導電性基板的背面，

所述氧生成面沿著所述第2電解室內的所述電解水溶液的流動方向朝上側傾斜。

5.根據權利要求1或2所述的氣體制造裝置，其中，

所述半導體薄膜包含CIGS系化合物半導體。

6.根據權利要求1或2所述的氣體制造裝置，其中，

所述半導體薄膜包含CZTS系化合物半導體。

7.根據權利要求1或2所述的氣體制造裝置，其中，

所述半導體薄膜的吸收波長端在800nm以上。

8.根據權利要求1或2所述的氣體制造裝置，其中，

所述氣體制造裝置還具有氫生成助催化劑，所述氫生成助催化劑設置于所述氫氣生成部所具備的氫生成面。

9.根據權利要求8所述的氣體制造裝置，其中，

所述氫生成助催化劑是鉑。