[發明專利]氣體阻隔性膜及其制造方法

有效

• 申請號: 201480018692.0
• 申請日: 2014-03-28
• 公開（公告）號: CN105102667A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發明（設計）人: 德永幸大;上林浩行;佐竹光;鈴木基之
• 申請（專利權）人: 東麗株式會社
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;B32B9/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;焦成美

1.一種氣體阻隔性膜，在高分子膜基材的至少一側具有至少含有氧化鋅和二氧化硅的氣體阻隔層，其中，所述氣體阻隔層滿足以下[I]～[III]中的任一項：

[I]鋅的K吸收端的X射線吸收近邊結構(XANES)光譜中，(9664.0eV的光譜強度)/(9668.0eV的光譜強度)的值為0.910～1.000；

[II]鋅原子濃度除以硅原子濃度所得的比例為0.1～1.5，下式所表示的結構密度指數為1.20～1.40，

結構密度指數＝(利用X射線反射率(XRR)法求出的氣體阻隔層的密度)/(由利用X射線光電子能譜(XPS)法求出的組成比率計算出的理論密度)；

[III]將利用FT－IR測定所測定的位于波數900～1,100cm^-1的峰分離成波數920cm^-1的峰和1,080cm^-1的峰時，在920cm^-1具有峰的光譜的面積強度(A)與在1,080cm^-1具有峰的光譜的面積強度(B)之比(A/B)的值為1.0以上且7.0以下。

2.如權利要求1所述的氣體阻隔性膜，其中，在將所述氣體阻隔層中的鋅的K吸收端的擴展X射線吸收精細結構(EXAFS)光譜進行傅里葉變換而得到的徑向分布函數中，(0.28nm的光譜強度)/(0.155nm的光譜強度)的值為0.08～0.20。

3.如權利要求1或2所述的氣體阻隔性膜，其中，所述氣體阻隔層的硬度為0.8～1.8GPa。

4.如權利要求1～3中任一項所述的氣體阻隔性膜，其中，針對所述氣體阻隔層，利用X射線反射率法測得的密度為1～7g/cm³。

5.如權利要求1～4中任一項所述的氣體阻隔性膜，其中，所述氣體阻隔層含有氧化鋁。

6.如權利要求1～5中任一項所述的氣體阻隔性膜，其中，在所述高分子膜基材和氣體阻隔層之間具有增粘涂層。

7.如權利要求5或6所述的氣體阻隔性膜，其中，對于所述氣體阻隔層而言，利用X射線光電子能譜法測得的鋅(Zn)原子濃度為1～35atm％，硅(Si)原子濃度為5～25atm％，鋁(Al)原子濃度為1～7atm％，氧(O)原子濃度為50～70atm％。

8.一種氣體阻隔性膜的制造方法，是在高分子膜基材的至少一側形成至少包含氧化鋅和二氧化硅的氣體阻隔層的氣體阻隔性膜的制造方法，其中，使用含有氧化鋅和二氧化硅、且鋅原子濃度除以硅原子濃度所得的比例為1.4～8.5的靶材，在使高分子膜基材的表面溫度為40～200℃后，進行濺射，由此形成氣體阻隔層。

9.一種氣體阻隔性膜的制造方法，是在高分子膜基材的至少一側形成至少包含氧化鋅和二氧化硅的氣體阻隔層的氣體阻隔性膜的制造方法，其中，使包含氧的氣體的壓力小于0.20Pa，進行濺射，由此形成氣體阻隔層。

10.如權利要求9所述的氣體阻隔性膜的制造方法，其中，濺射時的所述高分子膜基材滿足以下(1)及(2)：

(1)與形成氣體阻隔層的面相反的面的溫度為－20℃以上且150℃以下，

(2)(形成氣體阻隔層的面的溫度)－(與形成氣體阻隔層的面相反的面的溫度)≤100(℃)。

11.如權利要求8～10中任一項所述的氣體阻隔性膜的制造方法，其中，所述靶材包含鋁。

12.如權利要求8～11中任一項所述的氣體阻隔性膜的制造方法，其中，在具有增粘涂層的基材的增粘涂層上進行濺射。

13.如權利要求11或12所述的氣體阻隔性膜的制造方法，其中，所述靶材的鋅(Zn)原子濃度為3～37atm％，硅(Si)原子濃度為5～20atm％，鋁(Al)原子濃度為1～7atm％，氧(O)原子濃度為50～70atm％。