[發明專利]層積體、阻隔膜及其制造方法

有效

• 申請號: 201480018402.2
• 申請日: 2014-03-20
• 公開（公告）號: CN105050808B
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發明（設計）人: 小山浩志;佐藤盡;加納滿
• 申請（專利權）人: 凸版印刷株式會社
• 主分類號: B32B9/00
• 分類號: B32B9/00;C23C16/40;C23C16/455
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張蘇娜;常海濤

1.一種層積體，如下構成：

具有表面的高分子基材，

在所述高分子基材的所述表面上的至少一部分上形成的、含有有機高分子的膜狀或薄膜狀的底涂層，

以覆蓋所述底涂層的表面的方式形成的、含有親核性官能團且氧元素O和碳元素C的元素比O/C及氮元素N和碳元素C的元素比N/C中的至少一者比所述底涂層大的粘合層，其中，將從粘合層的表層部分向膜厚方向中元素比O/C成為0.45以上0.85以下的范圍的區域設為所述粘合層，或者，將從粘合層的表層部分向膜厚方向中元素比N/C成為0.01以上0.20以下的范圍的區域設為所述粘合層，以及

將前體作為原料以覆蓋所述粘合層的表面的方式形成的原子層沉積膜，其中，

所述前體的至少一部分鍵合于所述親核性官能團。

2.根據權利要求1所述的層積體，其中，

所述有機高分子為聚(甲基丙烯酸-2-羥基乙酯)和聚甲基丙烯酸甲酯的共聚物。

3.根據權利要求2所述的層積體，其中，

所述共聚物的聚(甲基丙烯酸-2-羥基乙酯)以15摩爾％以上50摩爾％以下的比例包含在共聚物中。

4.根據權利要求2或3所述的層積體，其中，

所述聚(甲基丙烯酸-2-羥基乙酯)中的OH基的一部分進行交聯而形成三維網狀結構。

5.根據權利要求1所述的層積體，其中，所述底涂層具有含有未共享電子對的元素或官能團。

6.根據權利要求1或5所述的層積體，其中，所述粘合層的膜厚為0.1nm以上100nm以下。

7.根據權利要求1所述的層積體，其中，所述底涂層的膜厚為100nm以上100μm以下。

8.根據權利要求1所述的層積體，其中，所述原子層沉積膜的膜厚為2nm以上50nm以下。

9.根據權利要求1所述的層積體，其中，所述原子層沉積膜含有Al或Si中的至少一者。

10.根據權利要求1所述的層積體，其中，所述原子層沉積膜在與所述粘合層相接的表面上含有Ti。

11.一種阻氣膜，其具備形成為薄膜狀的根據權利要求1至10中任一項所述的層積體。

12.權利要求1所述的層積體的制造方法，其包括：

準備基材；

在所述基材的表面的至少一部分上形成含有具有官能團的有機高分子的膜狀或薄膜狀的底涂層；

通過對所述底涂層的暴露面的至少一部分進行表面處理，由此在所述底涂層上形成具有親核性官能團的粘合層；

以成為原子層沉積膜的前體鍵合于所述底涂層的官能團或所述粘合層的親核性官能團的方式向所述粘合層的表面上供給前體原料；以及

除去所述前體原料中的未與所述底涂層及所述粘合層鍵合的剩余的前體原料，使鍵合于所述底涂層的官能團或所述粘合層的親核性官能團的所述前體的鍵合量飽和，以形成原子層沉積膜。

13.一種阻氣膜的制造方法，其將通過權利要求12所述的層積體的制造方法而制造的層積體形成為薄膜狀。