[發明專利]物體保持裝置及制造物體保持裝置的方法

有效

• 申請號: 201480018352.8
• 申請日: 2014-02-26
• 公開（公告）號: CN105103052B
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發明（設計）人: R·拉法爾;S·阿成達;M·菲利皮;Y·卡拉第;A·尼里森;R·范德威克;H·C·M·范多瑞梅倫;W·威爾特斯
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 張啟程

1.一種制造用在光刻設備中的物體保持裝置的方法，所述物體保持裝置包括一個或多個電功能部件，所述方法包括：

使用包括承載板和分層結構的復合結構，所述承載板與物體保持裝置的主體不同，所述分層結構包括一個或多個層并且形成在承載板上；

將復合結構連接到主體的表面上，使得分層結構位于承載板和主體的所述表面之間；以及

從復合結構上移除承載板，留下與主體連接的分層結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述承載板包括含有硅的表面，并且所述分層結構包括通過熱氧化承載板的表面形成的第一層。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述分層結構包括所述電功能部件中的一個或多個。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述電功能部件中的一個或多個形成在分層結構的外側。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中電功能部件包括以下部件中的一個或多個：加熱器、傳感器、電極，所述電極用于抵靠物體保持裝置來靜電保持物體或抵靠用于支撐物體保持裝置的物體臺來靜電保持物體保持裝置。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述電極形成在物體保持裝置的主體中或者形成到物體保持裝置的主體的與分層結構和物體保持裝置連接的一側相反的一側上。

7.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，還包括形成用于將物體支撐在分層結構上的一個或多個凸起，所述凸起在承載板從復合結構上移除之后形成。

8.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中多個凸起從主體的表面上突出，用于支撐物體，并且所述方法還包括：

在復合結構與所述主體的表面連接之前，形成穿透分層結構至承載板中的多個缺口，所述多個缺口與所述多個凸起在空間上互補，使得當復合結構放置在主體上時所述多個凸起與所述多個缺口接合。

9.根據權利要求8所述的方法，其中凸起的端表面在缺口中與承載板接觸。

10.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中復合結構與所述主體的表面通過形成在復合結構和所述主體的表面之間的粘合層連接。

11.根據權利要求10所述的方法，其中：

所述粘合層在復合結構與所述主體的表面之間的選定的區域中被省略，以便允許分層結構相對于選定的區域中的主體屈曲。

12.根據權利要求11所述的方法，其中：

所述主體設置有與選定的區域的位置對應的通孔，以允許分層結構通過選定的區域中的通孔饋通，由此允許從所述主體的與物體相反的一側對分層結構進行電連接。

13.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中所述物體是襯底并且所述物體保持裝置是襯底保持裝置，或者其中所述物體是圖案形成裝置并且所述物體保持裝置是圖案形成裝置保持裝置。

14.一種用于支撐物體并且用在光刻設備中的物體保持裝置，包括：

主體；

一個或多個電功能部件；

形成在主體的表面上的粘合層；以及

分層結構，所述分層結構包括一個或多個層并且通過粘合層與主體連接，其中所述分層結構包括通過襯底的硅表面的熱氧化形成的SiO₂層；以及

多個凸起，所述多個凸起從主體的表面上突出且超過所述分層結構，用于支撐物體。

15.根據權利要求14所述的物體保持裝置，其中所述一個或多個電功能部件包括電極，所述電極用在抵靠物體保持裝置靜電夾持物體或抵靠用于支撐物體保持裝置的物體臺靜電夾持物體保持裝置中。

16.根據權利要求15所述的物體保持裝置，其中所述SiO₂層被定位為作為靜電夾持元件之間的電隔離層。

17.根據權利要求14-16中任一項所述的物體保持裝置，還包括用于支撐物體的多個凸起，所述多個凸起設置在SiO₂層上。

18.根據權利要求14-16中任一項所述的物體保持裝置，其中一個或多個電功能部件包括以下部件中的一個或多個：加熱器、傳感器、用于抵靠物體保持裝置靜電保持物體或抵靠用于支撐物體保持裝置的物體臺靜電保持物體保持裝置的電極。