[發(fā)明專利]用于鹵化物驅(qū)氣的處理系統(tǒng)及方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480018007.4
• 申請日: 2014-03-06
• 公開（公告）號: CN105103266A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王安川;X·陳;Z·李;H·哈瑪納;Z·陳;C-M·徐;J·黃;N·K·英格爾;D·盧博米爾斯基;S·文卡特拉馬;R·撒庫爾
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 黃嵩泉

1.一種基板處理系統(tǒng)，所述基板處理系統(tǒng)包含：

數(shù)個固持腔室；

數(shù)個裝載腔室，所述數(shù)個裝載腔室經(jīng)配置以接收基板至真空環(huán)境中；

界面段，所述界面段具備至少兩個界面轉(zhuǎn)移裝置，所述界面轉(zhuǎn)移裝置經(jīng)配置以在所述數(shù)個固持腔室與所述數(shù)個裝載腔室之間輸送基板，所述數(shù)個固持腔室在所述界面段的第一位置處與所述界面段耦接，所述數(shù)個裝載腔室在所述界面段的第二位置處與所述界面段耦接，所述界面段的第二位置與所述數(shù)個固持腔室相對；

處置腔室，所述處置腔室定位為與所述裝載腔室中的至少一者垂直對齊，且與所述數(shù)個裝載腔室中的至少一者耦接；

數(shù)個處理腔室；及

工藝轉(zhuǎn)移裝置，所述工藝轉(zhuǎn)移裝置經(jīng)配置以在所述數(shù)個裝載腔室中的任一者與所述數(shù)個處理腔室中的任一者之間輸送基板，同時將所述基板維持在真空條件下，其中所述工藝轉(zhuǎn)移裝置可進一步經(jīng)配置以垂直于所述處置腔室輸送基板。

2.如權(quán)利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述裝載腔室及所述處理腔室全部處于所述基板處理系統(tǒng)的第一海拔平面上，且其中所述處置腔室處于所述基板處理系統(tǒng)的第一海拔平面之上的所述基板處理系統(tǒng)的第二海拔平面上。

3.如權(quán)利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述轉(zhuǎn)移裝置經(jīng)配置以維持真空條件同時垂直于處置腔室輸送基板。

4.如權(quán)利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，所述基板處理系統(tǒng)進一步包含數(shù)個處置腔室，其中每個處置腔室與所述數(shù)個裝載腔室中的一者垂直對齊且耦接。

5.如權(quán)利要求4所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)包括兩個裝載腔室及兩個處置腔室，其中所述裝載腔室相互水平安置。

6.如權(quán)利要求5所述的基板處理系統(tǒng)，所述基板處理系統(tǒng)進一步包含處置等離子體產(chǎn)生裝置，所述處置等離子體產(chǎn)生裝置與兩個所述處置腔室分開并耦接。

7.如權(quán)利要求5所述的基板處理系統(tǒng)，所述基板處理系統(tǒng)進一步包含兩個處置等離子體產(chǎn)生裝置，其中所述處置等離子體產(chǎn)生裝置中的一者與所述處置腔室中的一者耦接，所述處置等離子體產(chǎn)生裝置中的第二者與所述處置腔室中的第二者耦接。

8.如權(quán)利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述固持腔室包含至少一個入口端口并且經(jīng)配置以經(jīng)由所述入口端口接收流體以及引導(dǎo)所述流體穿過所述固持腔室并進入所述界面段。

9.如權(quán)利要求8所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述固持腔室包含至少一個內(nèi)部擴散器，所述內(nèi)部擴散器經(jīng)配置以引導(dǎo)所述接收的流體遍及所述固持腔室。

10.如權(quán)利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述裝載腔室包含至少一個加熱裝置，所述加熱裝置經(jīng)配置以加熱所述裝載腔室達約300℃。

11.如權(quán)利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，所述基板處理系統(tǒng)進一步包含濕式蝕刻腔室，所述濕式蝕刻腔室在所述界面段的第三位置處與所述界面段耦接，所述界面段的所述第三位置與所述界面段的所述第一位置及所述第二位置相鄰。

12.如權(quán)利要求11所述的基板處理系統(tǒng)，所述基板處理系統(tǒng)進一步包含儲存腔室，所述儲存腔室在界面段的第四位置處與所述界面段耦接，所述第四位置與所述第三位置相對。

13.如權(quán)利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述處置腔室包含經(jīng)配置以在所述處置腔室內(nèi)產(chǎn)生直接等離子體的組件。

14.如權(quán)利要求13所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述直接等離子體包含電容耦合等離子體。

15.如權(quán)利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述處置腔室包含經(jīng)配置以在所述處置腔室內(nèi)產(chǎn)生紫外光處置的組件。

16.如權(quán)利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述數(shù)個處理腔室耦接成所述基板處理系統(tǒng)內(nèi)的成對串聯(lián)處理腔室。

17.如權(quán)利要求16所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述數(shù)個處理腔室包含至少兩對串聯(lián)處理腔室，其中所述至少兩對串聯(lián)處理腔室中的第一對經(jīng)配置以施行氧化硅蝕刻操作，所述至少兩對串聯(lián)處理腔室中的第二對經(jīng)配置以施行硅蝕刻操作。