[發明專利]具有黑色硬質覆膜的裝飾品

有效

• 申請號: 201480018003.6
• 申請日: 2014-03-19
• 公開（公告）號: CN105102674B
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 田中敦
• 申請（專利權）人: 西鐵城時計株式會社
• 主分類號: C23C16/27
• 分類號: C23C16/27;A44C1/00;A44C25/00;C23C16/50
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種裝飾品，其特征在于，其是具有基材和形成于所述基材上的由類金剛石形成的黑色硬質覆膜的裝飾品，

所述黑色硬質覆膜的背對所述基材側一側的表面處的氫含量大于所述黑色硬質覆膜的所述基材側的表面處的氫含量，所述黑色硬質覆膜的背對所述基材側一側的表面處的氫含量為30.0～75.0原子％，所述黑色硬質覆膜包含由類金剛石形成的傾斜層，所述傾斜層中的氫含量隨著遠離所述基材而增加，所述黑色硬質覆膜的波長350～750nm的光譜反射率的最大值和最小值的差為5.0％以下。

2.根據權利要求1所述的裝飾品，其特征在于，

所述傾斜層的所述基材側的表面處的氫含量為0～24.0原子％，

所述傾斜層的背對所述基材側一側的表面處的氫含量為30.0～75.0原子％。

3.根據權利要求2所述的裝飾品，其特征在于，

所述黑色硬質覆膜還包含在比所述傾斜層靠所述基材側的位置形成的、由類金剛石形成的低氫含量層，

所述低氫含量層中的氫含量小于30.0原子％。

4.根據權利要求3所述的裝飾品，其特征在于，從所述基材側依次形成有所述低氫含量層和所述傾斜層，所述低氫含量層的所述傾斜層側的表面處的氫含量和所述傾斜層的所述低氫含量層側的表面處的氫含量為相同量。

5.根據權利要求3所述的裝飾品，其特征在于，

所述黑色硬質覆膜層包含作為所述低氫含量層的第一低氫含量層和第二低氫含量層，并且還包含由類金剛石形成的中間層，

從所述基材側依次形成有所述第一低氫含量層、所述中間層、所述第二低氫含量層以及所述傾斜層，

所述第一低氫含量層中的氫含量小于所述第二低氫含量層中的氫含量，

所述中間層中的氫含量隨著遠離所述基材而增加，

所述第一低氫含量層的所述中間層側的表面處的氫含量和所述中間層的所述第一低氫含量層側的表面處的氫含量為相同量，所述中間層的所述第二低氫含量層側的表面處的氫含量和所述第二低氫含量層的所述中間層側的表面處的氫含量為相同量，所述第二低氫含量層的所述傾斜層側的表面處的氫含量和所述傾斜層的所述第二低氫含量層側的表面處的氫含量為相同量。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的裝飾品，其特征在于，

所述黑色硬質覆膜還包含形成在所述傾斜層的背對所述基材側一側的、由類金剛石形成的最表面層，

所述最表面層中的氫含量相對于所述傾斜層的背對所述基材側一側的表面處的氫含量為±10.0原子％的量。

7.根據權利要求1所述的裝飾品，其特征在于，所述黑色硬質覆膜中的氫含量隨著遠離所述基材而增加。

8.一種裝飾品的制造方法，其特征在于，其是具有基材和形成于所述基材上的由類金剛石形成的黑色硬質覆膜的裝飾品的制造方法，

其包括利用等離子體CVD法來形成所述黑色硬質覆膜的黑色硬質覆膜形成工序，

所述黑色硬質覆膜形成工序中，以如下方式形成所述黑色硬質覆膜：所述黑色硬質覆膜的背對所述基材側一側的表面處的氫含量大于所述黑色硬質覆膜的所述基材側的表面處的氫含量，所述黑色硬質覆膜的背對所述基材側一側的表面處的氫含量為30.0～75.0原子％，且所述黑色硬質覆膜包含由類金剛石形成的傾斜層，所述傾斜層中的氫含量隨著遠離所述基材而增加，所述黑色硬質覆膜的波長350～750nm的光譜反射率的最大值和最小值的差為5.0％以下。

9.根據權利要求8所述的裝飾品的制造方法，其特征在于，所述黑色硬質覆膜形成工序中，對真空裝置中配置的基材施加負電壓，使包含原料物質的氣體等離子體化，進行化學反應之后，吸附涂布在所述基材上，從而形成黑色硬質覆膜，其中相對于覆膜形成開始起算的時間，控制電壓從而控制黑色硬質覆膜的氫含量。