[發明專利]化合物半導體層疊體以及半導體裝置在審
| 申請號： | 201480017836.0 | 申請日： | 2014-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN105103320A | 公開（公告）日： | 2015-11-25 |
| 發明（設計）人： | 吉川陽;森安嘉貴;小倉睦郎 | 申請（專利權）人： | 旭化成微電子株式會社;獨立行政法人產業技術綜合研究所 |
| 主分類號： | H01L43/06 | 分類號： | H01L43/06;C23C16/30;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 化合物 半導體 層疊 以及 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種化合物半導體層疊體，其具備：
電阻率為1×105Ωcm以上的基板；
第一化合物半導體層，其形成于所述基板上，摻雜有碳且包含In和Sb；以及
第二化合物半導體層，其形成于所述第一化合物半導體層上，碳的濃度小于所述第一化合物半導體層，且包含In和Sb，
所述第一化合物半導體層的膜厚為0.005μm以上且0.2μm以下，所述第一化合物半導體層的碳的濃度為1×1015cm-3以上且5×1018cm-3以下。
2.根據權利要求1所述的化合物半導體層疊體，其特征在于，所述基板為Si或GaAs。
3.根據權利要求1或2所述的化合物半導體層疊體，其特征在于，所述第一化合物半導體層為用于緩和所述基板和所述第二化合物半導體層的晶格失配的緩沖層，
所述第二化合物半導體層為作為元件的至少一部分起作用的活性層。
4.一種半導體裝置，其是使用權利要求1～3中任一項所述的化合物半導體層疊體而得到的。
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