[發(fā)明專利]用于累積和測量緩慢改變的電荷的系統(tǒng)和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480017085.2 | 申請日： | 2014-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN105229479B | 公開（公告）日： | 2019-10-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 茲比格涅夫·索辛;馬列克·亞當奇克;馬切伊·索辛;帕維烏·拉斯科 | 申請（專利權(quán)）人： | 雅蓋隆大學(xué) |
| 主分類號： | G01R29/24 | 分類號： | G01R29/24;H03F3/70 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人： | 鐘晶;金鮮英 |
| 地址： | 波蘭克*** | 國省代碼： | 波蘭;PL |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 累積 測量 緩慢 改變 電荷 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種用于測量電荷的系統(tǒng)，包括
被連接至電荷積分器的電容檢測器，電荷積分器為具有電容反饋的運算放大器，
其中，所述電荷積分器的輸入級包括一對對稱連接的補償JFET晶體管，它們的柵極被連接至所述電荷積分器的輸入，
其中所述一對對稱連接的補償JFET晶體管中的n-型晶體管的漏極被連接至自動的電壓控制系統(tǒng)，
其中pnp晶體管和npn晶體管串聯(lián)連接在所述一對對稱連接的補償JFET晶體管的后級，
其中所述n-型晶體管連接到所述pnp晶體管的發(fā)射極，
其中所述一對對稱連接的補償JFET晶體管中的p-型晶體管連接到所述npn晶體管的發(fā)射極和電流值可調(diào)整的調(diào)節(jié)電源，
其中所述自動的電壓控制系統(tǒng)用于：在測量電荷時，通過調(diào)整n-型晶體管的漏極電壓只要n-型晶體管工作在雪崩區(qū)域中，利用n-型晶體管的柵電流的絕對值，來均衡所述一對對稱連接的補償JFET晶體管中的p-型晶體管的柵電流的絕對值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述n-型晶體管的漏極由電源供電，電源的電流與所述n-型晶體管的漏極的電壓電位無關(guān)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的系統(tǒng)，其中所述調(diào)節(jié)電源被連接至p-型晶體管的漏極。
4.一種用于通過系統(tǒng)測量電荷的方法，所述系統(tǒng)包括被連接至電荷積分器的電容檢測器，電荷積分器為具有電容反饋的運算放大器，
其中，電荷積分器的輸入級包括一對對稱連接的補償JFET晶體管，它們的柵極被連接至所述電荷積分器的輸入，
其中，所述一對對稱連接的補償JFET晶體管中的n-型晶體管的漏極被連接至電壓控制系統(tǒng)，
其中pnp晶體管和npn晶體管并聯(lián)連接在所述一對對稱連接的補償JFET晶體管的后級，
其中所述n-型晶體管連接到所述pnp晶體管的發(fā)射極，
其中所述一對對稱連接的補償JFET晶體管中的p-型晶體管連接到所述npn晶體管的發(fā)射極和電流值可調(diào)整的調(diào)節(jié)電源，
其中所述方法包括，在測量電荷時，利用所述電壓控制系統(tǒng)，通過調(diào)整n-型晶體管的漏極電壓只要n-型晶體管工作在雪崩區(qū)域中，利用n-型晶體管的柵電流的絕對值，來均衡所述一對對稱連接的補償JFET晶體管中的p-型晶體管的柵電流的絕對值。
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