[發明專利]復合涂層及其制造方法

有效

• 申請號: 201480016254.0
• 申請日: 2014-03-11
• 公開（公告）號: CN105164087B
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: J·萬;M·K·布倫;P·J·梅施特;R·薩拉菲-諾爾;D·M·利普金
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: C04B41/87
• 分類號: C04B41/87;C04B41/89;C23C14/06;F01D5/28
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 周李軍;林森

1.一種經涂覆的制品，其包括：

基材，所述基材包括金屬或非金屬基體中的含硅的區域；和

設置在所述基材表面上的涂層，該涂層包括至少一個基本上由MoSi₂或WSi₂或(Mo, W)Si₂或鉑族金屬硅化物構成的金屬硅化物層，和

至少一個基本上由Si₃N₄構成的層。

2.權利要求1所述的經涂覆的制品，其中所述至少一個金屬硅化物層與所述基材的表面接觸。

3.權利要求1所述的經涂覆的制品，其中所述至少一個Si₃N₄層與所述基材的表面接觸。

4.權利要求1所述的經涂覆的制品，其還包括：

在所述至少一個金屬硅化物層和所述至少一個Si₃N₄層之間的至少一個過渡區域，該過渡區域包括金屬硅化物層和Si₃N₄二者的混合物。

5.權利要求1所述的經涂覆的制品，其還包括：

多個基本上由MoSi₂或WSi₂或(Mo, W)Si₂或鉑族金屬硅化物構成的金屬硅化物層；和

多個基本上由Si₃N₄構成的層，其中金屬硅化物和Si₃N₄的層是交替的。

6.權利要求1所述的經涂覆的制品，其中所述至少一個金屬硅化物層和所述至少一個Si₃N₄層的厚度比為所述涂層提供基本上等于基材熱膨脹系數的熱膨脹系數。

7.權利要求1所述的經涂覆的制品，其中所述基材包括SiC、Si₃N₄、過渡金屬硅化物和/或硅作為增強或基體相。

8.權利要求1所述的經涂覆的制品，其還包括：

環境屏障涂層和熱屏障涂層中的至少一個，設置在所述涂層上。

9.權利要求1所述的經涂覆的制品，其中Si₃N₄按涂層體積計的百分比大于55％。

10.權利要求1所述的經涂覆的制品，其中至少一個基本上由MoSi₂構成的金屬硅化物層以體積計是所述涂層的1％-45％。

11.權利要求1所述的經涂覆的制品，其中所述至少一個金屬硅化物層基本上由MoSi₂構成，并且至少一個MoSi₂層的厚度與至少一個Si₃N₄層的厚度之比是0.01-0.75。

12.一種經涂覆的制品，其包括：

包括含硅的區域的基材，該含硅的區域包括金屬基體或非金屬基體中的SiC、Si₃N₄、過渡金屬硅化物和/或硅作為增強材料；和

設置在所述基材表面上的涂層，該涂層包括MoSi₂和Si₃N₄，其中按體積計，Si₃N₄的百分比大于所述涂層的55％。

13.權利要求12所述的經涂覆的制品，其中MoSi₂和Si₃N₄在混合物中。

14.權利要求13所述的經涂覆的制品，其中該混合物是功能分級的。