[發明專利]波導諧振器構件及其制造方法

有效

• 申請號: 201480015934.0
• 申請日: 2014-03-13
• 公開（公告）號: CN105051580B
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發明（設計）人: 斯特凡·伯特納;奧利弗·G·施密特
• 申請（專利權）人: 德累斯頓協會萊布尼茨固體材料研究所
• 主分類號: G02B6/10
• 分類號: G02B6/10;G02B6/12;G02B6/13
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 楊靖;車文

1.一種波導諧振器構件，其中，至少一個基底具有至少兩個波導，或者至少兩個基底分別具有至少一個波導，并且至少一個微管作為諧振器存在，所述至少一個微管具有直接或經由一個或多個層與一個或多個基底部分材料鎖合的接觸，其中，通過在所述諧振器中以及在所述諧振器周圍的介質和/或材料和/或尺寸確定諧振器在激勵下的諧振頻率，并且其中，所述諧振器至少在所述波導的區域內分別具有留空部以形成波導與諧振器之間的間隙，經由所述間隙實現了所述波導與所述諧振器之間的光耦合。

2.根據權利要求1所述的波導諧振器構件，其中，所述微管由氧化物構成；由半導體構成；或者由氧化物和半導體的組合物構成。

3.根據權利要求1所述的波導諧振器構件，其中，所述微管由SiO₂、SiO、TiO₂、Al₂O₃、HfO₂、Y₂O₃或ZrO₂構成。

4.根據權利要求1所述的波導諧振器構件，其中，所述微管由III-V族和II-VI族化合物半導體構成。

5.根據權利要求1所述的波導諧振器構件，其中，所述微管由Si、GaAs、InGaAs、AlInGaAs或AlGaAs構成。

6.根據權利要求1所述的波導諧振器構件，其中，所述波導是具有IR范圍、可見光范圍、UV范圍內的波長的光波導。

7.根據權利要求1所述的波導諧振器構件，其中，所述一個或多個基底由玻璃、氮化硅、絕緣體上硅(SOI)、塑料或半導體構成。

8.根據權利要求1所述的波導諧振器構件，其中，所述一個或多個基底由硅(Si)或GaAs構成。

9.根據權利要求1所述的波導諧振器構件，其中，所述波導由玻璃、氮化硅、絕緣體上硅(SOI)、塑料或半導體構成。

10.根據權利要求1所述的波導諧振器構件，其中，所述波導由硅(Si)或GaAs構成。

11.根據權利要求1所述的波導諧振器構件，其中，所述諧振器是卷起的微管。

12.根據權利要求1所述的波導諧振器構件，其中，所述微管在其端部上分別具有如下區域，所述區域與微管在一個或多個波導的區域中的區域相比具有更大的總直徑，并且具有更大的總直徑的區域實現了與所述一個或多個基底的材料鎖合的接觸。

13.根據權利要求1所述的波導諧振器構件，其中，所述微管中在一個或多個波導的區域中的留空部與所述波導相比具有更小的尺寸和/或部分地具有凹的、彎曲的、鋸齒形的或波浪形的形狀。

14.根據權利要求1所述的波導諧振器構件，其中，所述波導與所述諧振器之間的間隙在其尺寸方面小于所述微管的直徑的一半。

15.根據權利要求1所述的波導諧振器構件，其中，所述波導與諧振器之間的間隙和/或所述微管的內腔以空氣和/或液體填充。

16.一種用于制造波導諧振器構件的方法，其中，在至少一個基底上定位至少兩個波導，或者在至少兩個基底上分別定位至少一個波導；隨后，將作為犧牲層的至少一個第一層和位于所述至少一個第一層上的至少一個第二層施加到具有一個或多個波導的基底上；在此之后，至少部分地去除所述犧牲層，并且通過卷起所述至少第二層，使制成的微管形式的諧振器在多個基底的情況下與至少第二基底形成材料鎖合的接觸。