[發(fā)明專利]太陽能電池的導(dǎo)電性提升

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480015814.0
• 申請日: 2014-03-14
• 公開（公告）號: CN105144398B
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱希
• 申請（專利權(quán)）人: 太陽能公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 顧麗波;井杰

1.一種用于在太陽能電池上形成接觸區(qū)的方法，所述太陽能電池具有在正常操作期間面向太陽的正面和與所述正面相背對的背面，所述方法包括：

形成通過第一介質(zhì)層并在所述太陽能電池的硅基板上方的至少一個接觸開口，所述硅基板具有至少一個摻雜區(qū)；

在至少一個接觸開口上方無電鍍第一金屬觸點，使得所述第一金屬觸點通過所述接觸開口與所述摻雜區(qū)形成點接觸；

在所述第一金屬觸點上方形成鋁糊劑；

固化所述鋁糊劑以形成已固化的鋁層；

將所述第一金屬觸點、已固化的鋁層以及所述硅基板退火到高于550℃的溫度；以及

在所述鋁層上電鍍第二金屬層，其中所述第一金屬觸點以及鋁層將所述第二金屬層電耦接至至少一個摻雜區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成至少一個接觸開口包括執(zhí)行選自濕法刻蝕和激光燒蝕的方法。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中無電鍍所述第一金屬觸點包括無電鍍選自鎳、金、銀、銠、鉻、鋅、錫和鎘的金屬。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述鋁糊劑包括絲網(wǎng)印刷所述鋁糊劑。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述形成鋁糊劑包括沉積鋁糊劑。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中沉積所述鋁糊劑包括沉積具有至少0.5微米的厚度的鋁糊劑。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中電鍍所述第二金屬層包括電鍍選自銅、錫、鋁、銀、金、鉻、鐵、鎳、鋅、釕、鈀和鉑的金屬。

8.一種用于在太陽能電池上形成接觸區(qū)的方法，所述太陽能電池具有在正常操作期間面向太陽的正面和與所述正面相背對的背面，所述方法包括：

在所述太陽能電池的硅基板上方形成通過第一介質(zhì)層的至少一個接觸開口，所述硅基板具有至少一個摻雜區(qū)；

在至少一個接觸開口上方無電鍍至少一個鎳觸點，使得所述鎳觸點通過所述接觸開口與所述摻雜區(qū)形成點接觸；

在至少一個接觸開口上方沉積鋁糊劑；

固化所述鋁糊劑以形成已固化的鋁層；

將至少一個鎳觸點、已固化的鋁層和所述硅基板退火至高于550℃的溫度；以及

在所述鋁層上電鍍第二金屬層，其中所述至少一個鎳觸點和鋁層將所述第二金屬層電耦接至至少一個摻雜區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中形成通過所述第一介質(zhì)層的至少一個接觸開口包括執(zhí)行選自濕法刻蝕和激光燒蝕的方法。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中形成所述鋁糊劑包括絲網(wǎng)印刷所述鋁糊劑。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中電鍍所述第二金屬層包括電鍍選自銅、錫、鋁、銀、金、鉻、鐵、鎳、鋅、釕、鈀和鉑的金屬。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括在所述第二金屬層上電鍍第三金屬層，其中所述至少一個鎳觸點、鋁層以及第一金屬層將所述第三金屬層電耦接至至少一個摻雜區(qū)。

13.一種太陽能電池，具有在正常操作期間面向太陽的正面和與所述正面相背對的背面，所述太陽能電池包括：

通過第一介質(zhì)層并在所述太陽能電池的硅基板上方的接觸開口，所述硅基板具有位于所述背面的至少一個摻雜區(qū)；

在所述背面形成的接觸區(qū)，其包括：

在所述至少一個接觸開口上方形成的無電鍍的鎳觸點，所述鎳觸點通過所述接觸開口與所述摻雜區(qū)形成點接觸；

在所述鎳觸點上方形成的第一金屬層，其中所述第一金屬層電連接至所述鎳觸點；以及

在所述第一金屬層上形成的第二金屬層，其中所述鎳觸點和第一金屬層將所述第二金屬層電耦接至至少一個摻雜區(qū)，

其中，所述太陽能電池還包括位于所述背面的溝槽區(qū)，其分離不同極性的接觸區(qū)并且是紋理化的。