[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201480015666.2
• 申請日: 2014-06-25
• 公開（公告）號: CN105051898B
• 公開（公告）日: 2018-01-16
• 發明（設計）人: 飯塚祐二
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/36;H01L25/18
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 王穎,金玉蘭

1.一種半導體裝置，具備：

支撐板，其具有第一面、位于所述第一面的相反側的第二面和從所述第一面貫通至所述第二面的貫通孔；和

半導體單元，其具有半導體芯片和突出的金屬塊，所述半導體單元固定于所述第一面，所述金屬塊穿過所述貫通孔而貫通至所述第二面，

其中，所述半導體單元還具有絕緣板，以及固定于所述絕緣板的正面的電路板，

所述半導體芯片固定于所述電路板，

所述金屬塊固定于所述絕緣板的背面。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述金屬塊從所述第二面突出。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述金屬塊具備外螺紋部，

所述貫通孔具備內螺紋部，

所述半導體單元通過所述外螺紋部和所述內螺紋部的螺紋連接而固定于所述第一面。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，

所述半導體單元具有覆蓋所述半導體芯片的封固樹脂。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述支撐板由Cu、Al、Mo、W、Cu-C、Al-C、Al-SiC、Cu-Mo、Si-SiC中的任意一種構成。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述半導體單元在側面具有凹凸。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述半導體單元在表面具有由Al₂O₃、AlN、Si₃N₄、SiO₂、BN中的任意一種構成的保護膜。

8.一種半導體裝置，具備：

支撐板，其具有第一面、位于所述第一面的相反側的第二面和從所述第一面貫通至所述第二面的貫通孔；和

半導體單元，其具有半導體芯片和突出的金屬塊，所述半導體單元固定于所述第一面，所述金屬塊穿過所述貫通孔而貫通至所述第二面，

其中，所述支撐板具有多個所述貫通孔，

在多個所述貫通孔分別固定有多個所述半導體單元，

所述半導體單元還具有連接端子，

所述半導體裝置還具備外部端子，其與多個所述半導體單元具有的所述連接端子分別連接。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，

所述金屬塊從所述第二面突出。

10.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，

所述金屬塊具備外螺紋部，

所述貫通孔具備內螺紋部，

所述半導體單元通過所述外螺紋部和所述內螺紋部的螺紋連接而固定于所述第一面。

11.根據權利要求8所述的半導體裝置，還具備：

筐體，其覆蓋多個所述半導體單元以及所述外部端子；和

導熱板，其固定于所述筐體。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中，

所述導熱板具有供所述外部端子插入的端子孔。

13.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，

所述半導體單元具有覆蓋所述半導體芯片的封固樹脂。

14.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，

所述支撐板由Cu、Al、Mo、W、Cu-C、Al-C、Al-SiC、Cu-Mo、Si-SiC中的任意一種構成。

15.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，

所述半導體單元在側面具有凹凸。

16.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，

所述半導體單元在表面具有由Al₂O₃、AlN、Si₃N₄、SiO₂、BN中的任意一種構成的保護膜。