[發明專利]具有用于在化學氣相沉積系統中改善加熱均勻性的器件的晶片承載器

有效

• 申請號: 201480015658.8
• 申請日: 2014-03-14
• 公開（公告）號: CN105051865B
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發明（設計）人: 桑迪普·克里希南;威廉·E·奎恩;杰弗里·S·蒙哥馬利;約書亞·曼格姆;盧卡斯·厄本
• 申請（專利權）人: 威科儀器有限公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L21/324
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種應用于通過化學氣相沉積(CVD)在一個或多個晶片上生長外延層的系統中的晶片承載器總成，其特征在于，晶片承載器總成包含：

繞中心軸線對稱設置的晶片承載器本體，包括垂直于中心軸線設置的總體上平坦的上表面；

至少一個從上表面凹入晶片承載器本體的晶片保持凹穴，至少一個晶片保持凹穴的每一個包括沿總體上平行于總體平坦的上表面的方向延伸的底面和從上表面朝向底面向下延伸的周壁表面，周壁表面外接底面并且形成晶片保持凹穴的周壁，晶片保持凹穴用于在繞中心軸線旋轉時將晶片保持在周壁內；以及

晶片保持凹穴具有總體平直的周壁部分以及圓形壁部分以容納具有至少一個平直邊緣的晶片，其中鄰近總體平直的周壁部分的底面部分具有升高的部分，所述升高的部分與鄰近晶片保持凹穴的圓形壁部分的底面部分相比從上表面更少地凹進。

2.根據權利要求1所述的晶片承載器總成，其特征在于，底面的升高的部分包括平直部。

3.根據權利要求1所述的晶片承載器總成，其特征在于，在其上保持晶片的至少一個平直邊緣的底面的部分包括從晶片保持凹穴的周壁到晶片保持凹穴的中心的向下的傾斜。

4.根據權利要求3所述的晶片承載器總成，其特征在于，底面的向下的傾斜部分包括凹的向下的傾斜部分。

5.根據權利要求3所述的晶片承載器總成，其特征在于，底面的向下的傾斜部分包括直線向下的傾斜部分。

6.根據權利要求3所述的晶片承載器總成，其特征在于，晶片保持凹穴的周壁表面包括至少一個設置為與保持的晶片的至少一個平直的邊緣對應的總體上平直的部分。

7.一種應用于通過化學氣相沉積(CVD)在一個或多個晶片上生長外延層的系統中的晶片承載器總成，其特征在于，晶片承載器總成包含：

繞中心軸線對稱設置的晶片承載器本體，包括垂直于中心軸線設置的總體上平坦的上表面；

至少一個從上表面凹入晶片承載器本體的晶片保持凹穴，至少一個晶片保持凹穴的每一個包括沿總體上平行于上表面的方向延伸的底面和從上表面朝向底面向下延伸的周壁表面，周壁表面外接底面并且形成所述晶片保持凹穴的周壁，晶片保持凹穴用于在繞中心軸線旋轉時經由總體平直的周壁部分和圓形壁部分將晶片保持在周壁內；以及

晶片保持凹穴進一步設置為容納具有至少一個平直邊緣的晶片，其中晶片保持凹穴包括沿著周壁設置的并且形成與至少一個總體平直的周壁部分對應的內周壁的嵌入間隔裝置。

8.根據權利要求7所述的晶片承載器總成，其特征在于，嵌入的間隔裝置包括具有適于容納到環形的晶片保持凹穴內的環形外周壁的環形結構，并且包括與晶片的至少一個平直的邊緣對應的至少一個平直的內部。

9.根據權利要求7所述的晶片承載器總成，其特征在于，嵌入的間隔裝置由相對于晶片承載器本體具有熱絕緣特征的材料制成。

10.一種應用于通過化學氣相沉積(CVD)在一個或多個晶片上生長外延層的系統中的晶片承載器總成，其特征在于，晶片承載器總成包含：

繞中心軸線對稱設置的晶片承載器本體，包括垂直于中心軸線設置的總體上平坦的上表面；

至少一個從上表面凹入晶片承載器本體的晶片保持凹穴，至少一個晶片保持凹穴的每一個包括總體上平行于上表面延伸的底面和從上表面朝向平坦底面向下延伸的周壁表面，周壁表面外接底面并且形成所述晶片保持凹穴的周壁，晶片保持凹穴用于在繞中心軸線旋轉時經由總體平直的周壁部分和圓形壁部分將晶片保持在周壁內；以及

晶片保持凹穴進一步設置為容納具有位于總體平直的周壁部分處的至少一個平直邊緣的晶片，其中總體平直的部分設置為與保持的晶片的至少一個平直的邊緣對應。

11.根據權利要求10所述的晶片承載器總成，其特征在于，周壁表面的至少一個總體上平坦的部分具有突出到晶片保持凹穴內的凸出的彎曲。