[發(fā)明專利]組合物和單層涂布型水平取向膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480015560.2 | 申請日: | 2014-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN105051104B | 公開(公告)日: | 2017-04-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 丹尼爾·櫻葉汀 | 申請(專利權(quán))人: | 日產(chǎn)化學(xué)工業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | C08L33/14 | 分類號: | C08L33/14;C08F220/30;C08F224/00;C08L37/00;G02B5/30 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所11038 | 代理人: | 杜麗利 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 組合 單層 涂布型 水平 取向 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及組合物和單層涂布型水平取向膜。詳細地說,涉及具有適合顯示裝置、記錄材料等的用途的光學(xué)特性的材料、特別是包含適合作為液晶顯示器用的偏光板和相位差板等的光學(xué)補償膜用的液晶性聚合物的組合物和由該組合物得到的單層涂布型水平取向膜。
背景技術(shù)
由于液晶顯示裝置的顯示品質(zhì)的提高、輕量化等的要求,作為偏光板、相位差板等的光學(xué)補償膜,內(nèi)部的分子取向結(jié)構(gòu)受控的高分子膜的要求提高。為了應(yīng)對該要求,開發(fā)了利用了聚合性液晶化合物具有的光學(xué)各向異性的膜。其中使用的聚合性液晶化合物一般是具有聚合性基團和液晶結(jié)構(gòu)部位(具有間隔部和介晶部的結(jié)構(gòu)部位)的液晶化合物,作為該聚合性基團,廣泛使用丙烯酰基。
這樣的聚合性液晶化合物一般采用照射紫外線等放射線聚合的方法而形成聚合物(膜)。例如,已知使具有丙烯酰基的特定的聚合性液晶化合物負載于支持體間,在使該化合物保持為液晶狀態(tài)的同時照射放射線而得到聚合物的方法(專利文獻1);對具有丙烯酰基的2種聚合性液晶化合物的混合物或在該混合物中混合了手性液晶而成的組合物添加光聚合引發(fā)劑,照射紫外線而得到聚合物的方法(專利文獻2)。
此外,報道了不需要液晶取向膜的使用了聚合性液晶化合物、聚合物的取向膜(專利文獻3、4);使用了含有光交聯(lián)部位的聚合物的取向膜(專利文獻5、6)等各種的單層涂布型取向膜。但是,存在在采用上述膜制作工藝得到的膜的取向方向上發(fā)現(xiàn)了由基板的表面的影響引起的偏移,希望解決這樣的問題。
現(xiàn)有技術(shù)文獻
專利文獻
專利文獻1:特開昭62-70407號公報
專利文獻2:特開平9-208957號公報
專利文獻3:歐州專利申請公開第1090325號說明書
專利文獻4:國際公開第2008/031243號
專利文獻5:特開2008-164925號公報
專利文獻6:特開平11-189665號公報
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
本發(fā)明鑒于上述問題而完成,目的在于提供能夠采用簡單的工藝制作單層涂布型水平取向膜、能夠解決取向方向的偏移的問題的組合物和由該組合物得到的單層涂布型水平取向膜。
用于解決課題的手段
本發(fā)明人為了解決上述課題而反復(fù)深入研究,結(jié)果發(fā)現(xiàn):通過使用在主鏈中含有γ-丁內(nèi)酯骨架、同時在從內(nèi)酯環(huán)的γ位延伸的側(cè)鏈上具有肉桂酸酯結(jié)構(gòu)的聚合物,由于在偏振光紫外線曝光后形成穩(wěn)定的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),因此在沒有使用液晶取向膜的情況下得到具有高的折射率各向異性(Δn)的單層涂布型水平取向膜,而且通過在該聚合物中導(dǎo)入烷基鏈,對于有機溶劑的溶解性提高,能夠在低溫條件下制作具有更高的Δn的單層涂布型水平取向膜。此外,本發(fā)明人還發(fā)現(xiàn):通過在包含上述聚合物的組合物中加入聚(甲基)丙烯酸酯作為添加劑,取向方向的控制更為優(yōu)異,能夠容易地得到顯示高的光學(xué)各向異性的單層涂布型水平取向膜,完成了本發(fā)明。
即,本發(fā)明提供下述組合物和單層涂布型水平取向膜。
1.組合物,其特征在于,含有:(A)含有由下述式[1a]、[1b]和[1c]表示的重復(fù)單元的聚合物A,(B)含有由下述式[6]表示的重復(fù)單元的聚合物B,和(C)有機溶劑。
[化1]
[式中,X和Y各自獨立地為由下述式[2]或[3]表示的基團,
[化2]
(式[3]中,R1為氫原子或甲基。虛線為鍵合端。)
M1為由下述式[4]表示的基團,M2為由下述式[5]表示的基團,
[化3]
(式[4]和[5]中,s1、s2、s3和s4各自獨立地為1或2,G1和G2各自獨立地為單鍵、-COO-或-OCO-,R2和R3各自獨立地為氫原子、鹵素原子、氰基、碳數(shù)1~10的烷基或碳數(shù)1~10的烷氧基。虛線為鍵合端。)
A為碳數(shù)2~15的直鏈狀或分支狀的烷基,
m、n和p為分別滿足0<m<1、0<n<1、0≦p≦0.5且m+n+p≦1的數(shù),
q和r各自獨立地為2~9的整數(shù)。]
[化4]
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