[發(fā)明專利]含氟聚合物和二氧化鈦雙層涂層在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480015264.2 | 申請日： | 2014-03-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105121563A | 公開（公告）日： | 2015-12-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | D·J·施密特;T·J·赫布林克 | 申請（專利權(quán)）人： | 3M創(chuàng)新有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C09D1/00 | 分類號(hào)： | C09D1/00;B05D1/18;B82Y30/00;C09D7/12;C09D127/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 陳長會(huì) |
| 地址： | 美國明*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 聚合物 氧化 雙層 涂層 | ||
1.一種制品，所述制品包括基底和粘合到所述基底的表面的涂層，其中所述涂層包括m個(gè)雙層，其中每個(gè)雙層包括第一自限單層和相鄰的第二自限單層，其中所述單層中的一個(gè)包含二氧化鈦并且所述另一個(gè)單層包含氟化高分子電解質(zhì)；其中m為大于或等于1的整數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品，其中m大于或等于5。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制品，其中m不大于20。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的制品，其中所述二氧化鈦包括平均直徑不大于750納米的二氧化鈦納米顆粒。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制品，其中所述二氧化鈦納米顆粒具有在5納米和25納米之間的平均直徑，包括端值。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的制品，其中包含二氧化鈦的所述單層基本上不含聚合組分。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的制品，其中所述氟化高分子電解質(zhì)為全氟化的。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制品，其中所述氟化高分子電解質(zhì)為全氟磺酸聚合物。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的制品，其中所述單層中的一個(gè)直接粘合到所述基底的表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的制品，還包括粘合到所述基底的表面的第一層，其中所述單層中的一個(gè)直接粘合到所述第一層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制品，其中所述第一層為第三自限單層。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的制品，還包括設(shè)置在所述雙層的離所述基底最遠(yuǎn)的表面上的第二層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制品，其中所述第二層為第四自限單層。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的制品，其中所述基底的表面帶負(fù)電。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的制品，其中所述基底的表面帶正電。
16.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的制品，其中所述基底包括玻璃。
17.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的制品，其中所述基底包括聚合物膜。
18.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的制品，其中每個(gè)單層為逐層自組裝單層。
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