[發(fā)明專利]具有包含InGaN的有源區(qū)的半導體發(fā)光結構體及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480015241.1
• 申請日: 2014-03-17
• 公開（公告）號: CN105051920A
• 公開（公告）日: 2015-11-11
• 發(fā)明（設計）人: J-P·德布雷;尚塔爾·艾爾納;H·邁克法維林;D·丁;L·黃
• 申請（專利權）人: 索泰克公司
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/00;H01L33/12;H01L21/02;H01S5/343
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 龐東成;丁香蘭

1.一種半導體結構體，其包含：

In_nGa_1-nN基體層，所述In_nGa_1-nN基體層具有生長平面晶格參數大于約3.2埃的極性生長平面；

設置在所述基體層上的有源區(qū)，所述有源區(qū)包含多個InGaN層，所述多個InGaN層包含至少一個In_wGa_1-wN阱層和至少一個In_bGa_1-bN勢壘層，其中0.10≤w≤0.40，0.01≤b≤0.10；

設置在所述有源區(qū)與所述In_nGa_1-nN基體層相對的一側上的電子阻擋層；

設置在所述電子阻擋層上的p-型主體層，所述p-型主體層包含In_pGa_1-pN，其中0.00≤p≤0.08；和

設置在所述p-型主體層上的p-型接觸層，所述p-型接觸層包含In_cGa_1-cN，其中0.00≤c≤0.10。

2.如權利要求1所述的半導體結構體，其中，所述基體層還包含生長模板，所述生長模板包含：

支持襯底；和

設置在所述支持襯底上的In_sGa_1-sN晶種層，其中，所述In_sGa_1-sN晶種層的生長平面是生長平面晶格參數大于約3.2埃的極性平面，其中0.05≤s≤0.10，且其中，所述支持襯底與所述In_sGa_1-sN晶種層之間存在鍵合界面。

3.如權利要求2所述的半導體結構體，其還包括設置在所述In_sGa_1-sN晶種層與所述In_nGa_1-nN基層相對的一側上的In_spGa_1-spN間隔層，其中0.01≤sp≤0.10。

4.如權利要求1所述的半導體結構體，其還包括設置在所述有源區(qū)和所述電子阻擋層之間的In_cpGa_1-cpN封端層，其中0.01≤cp≤0.10。

5.如權利要求1所述的半導體結構體，其中，所述電子阻擋層至少基本由GaN組成。

6.如權利要求1所述的半導體結構體，其還包含設置在所述In_nGa_1-nN基體層和所述有源區(qū)之間的電子阻斷層，其中，所述電子阻斷層包含Al_stGa_1-stN，其中0.01≤st≤0.20。

7.如權利要求1所述的半導體結構體，其還包含設置在所述In_nGa_1-nN基體層和所述有源區(qū)之間的應變消除層，所述應變消除層具有包含交替的In_sraGa_sraN層和In_srbGa_1-srbN層的超晶格結構，其中0.01≤sra≤0.10，0.01≤srb≤0.10，且其中sra大于srb。

8.如權利要求1所述的半導體結構體，其中，所述半導體結構體的臨界應變能由各層厚度(以nm計)乘以各層銦含量(以％計)的乘積的總和限定，且等于或小于4500。