[發明專利]可吸收材料和不可吸收材料的隨機均勻的三維組織支架有效
| 申請號: | 201480015228.6 | 申請日: | 2014-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN105188784B | 公開(公告)日: | 2017-10-10 |
| 發明(設計)人: | S.蘭德格雷貝;D.史密斯;O.迪克 | 申請(專利權)人: | 伊西康公司 |
| 主分類號: | A61L27/16 | 分類號: | A61L27/16;A61L27/18;A61L27/48;A61L27/50;A61L27/56;A61L27/58 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 趙勝寶,黃希貴 |
| 地址: | 美國新*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 吸收 材料 不可 隨機 均勻 三維 組織 支架 | ||
1.一種形成植入式裝置的方法,包括以下步驟:
a. 形成第一紗線和第二紗線,其中所述第一紗線和所述第二紗線中的至少一者包括第一不可吸收長絲,并且所述第一紗線和所述第二紗線中的至少一者包括第一可吸收長絲,所述第一可吸收長絲具有比所述第一不可吸收長絲低的熔點;
b. 形成包括所述第一紗線和所述第二紗線的初始編織結構;
c. 使所述初始編織結構在第一溫度下經受第一加熱處理,所述第一溫度足以使所述第一可吸收長絲收縮,并且因此使至少所述第二紗線皺縮并形成初始加熱結構;
d. 將所述初始加熱結構加熱至第二溫度,所述第二溫度高于所述第一溫度,其中所述第一可吸收長絲的至少一部分被熔融;以及
e. 允許所述加熱結構冷卻,以形成所得的植入式裝置。
2.根據權利要求1所述的方法,還包括以下步驟:在形成所述第一紗線或所述第二紗線之前,使所述第一可吸收長絲和所述第一不可吸收長絲中的至少一者扭結。
3.根據權利要求1所述的方法,還包括以下步驟:在第二溫度下加熱所述初始加熱結構的所述步驟期間壓縮所述初始編織結構。
4.根據權利要求1所述的方法,其中所述第一紗線包括第一不可吸收長絲和第一可吸收長絲,并且所述第二紗線包括第二不可吸收長絲和第二可吸收長絲。
5.根據權利要求4所述的方法,其中所述第一可吸收長絲是聚二氧六環酮并且所述第一不可吸收長絲是聚丙烯。
6.根據權利要求1所述的方法,其中所述第一紗線包括第一不可吸收長絲、第一可吸收長絲和第二可吸收長絲,并且所述第二紗線包括第二不可吸收長絲和第三可吸收長絲。
7.根據權利要求6所述的方法,其中所述第一可吸收長絲是羥乙酸乳酸聚酯,所述第二可吸收長絲是聚二氧六環酮,并且所述第一不可吸收長絲是聚丙烯。
8.根據權利要求1所述的方法,其中所述所得的植入式裝置在所述冷卻步驟之后具有0.1mm-2mm的厚度。
9.根據權利要求1所述的方法,其中使所述初始編織結構經受第一加熱處理的所述步驟包括:將所述初始編織結構放置在具有間隙的加熱源中,所述間隙至少與所述初始編織結構的所述厚度一樣寬。
10.根據權利要求1所述的方法,其中使所述初始編織結構經受第一加熱處理的所述步驟包括:使所述初始編織結構經受第一溫度,所述第一溫度比所述初始編織結構中具有最低熔點的所述可吸收長絲的熔點小0.1℃至2℃。
11.根據權利要求1所述的方法,其中所述第二溫度是比所述初始編織結構中具有最低熔點的所述可吸收長絲的熔點大0.1℃至20℃的溫度。
12.一種具有不可吸收長絲的隨機取向的植入式裝置,由包括以下步驟的方法形成:
a. 形成第一紗線和第二紗線,其中所述第一紗線和所述第二紗線中的至少一者包括第一不可吸收長絲,并且所述第一紗線和所述第二紗線中的至少一者包括第一可吸收長絲,所述第一可吸收長絲具有比所述第一不可吸收長絲低的熔點;
b. 形成包括所述第一紗線和所述第二紗線的初始編織結構;
c. 使所述初始編織結構在第一溫度下經受第一加熱處理,所述第一溫度足以使所述第一可吸收長絲收縮,并且因此使至少所述第二紗線皺縮并形成初始加熱結構;
d. 將所述初始加熱結構加熱至第二溫度,所述第二溫度高于所述第一溫度,其中所述第一可吸收長絲的至少一部分被熔融;以及
e. 允許所述加熱結構冷卻,以形成所得的植入式裝置。
13.根據權利要求12所述的植入式裝置,還包括以下步驟:在形成所述第一紗線或所述第二紗線之前,使所述第一可吸收長絲和所述第一不可吸收長絲中的至少一者扭結。
14.根據權利要求12所述的植入式裝置,還包括以下步驟:在第二溫度下加熱所述初始加熱結構的所述步驟期間壓縮所述初始編織結構。
15.根據權利要求12所述的植入式裝置,其中所述第一紗線包括第一不可吸收長絲和第一可吸收長絲,并且所述第二紗線包括第二不可吸收長絲和第二可吸收長絲。
16.根據權利要求15所述的植入式裝置,其中所述第一可吸收長絲是聚二氧六環酮并且所述第一不可吸收長絲是聚丙烯。
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