[發明專利]太陽能電池基板用鐵素體不銹鋼箔及其制造方法有效
| 申請號: | 201480015212.5 | 申請日: | 2014-03-17 |
| 公開(公告)號: | CN105051915B | 公開(公告)日: | 2017-03-15 |
| 發明(設計)人: | 矢野孝宜;石川伸;山口裕弘;有園智之 | 申請(專利權)人: | 杰富意鋼鐵株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/0749 | 分類號: | H01L31/0749;B21B1/40;B21B3/02;B21B45/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人: | 李洋,蘇琳琳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 基板用鐵素體 不銹鋼 及其 制造 方法 | ||
1.一種太陽能電池基板用鐵素體不銹鋼箔,其中,
以質量%含有14%以上24%以下的Cr以及0.1%以上0.6%以下的Nb,維氏硬度為Hv250以上450以下,將基板在450℃以上650℃以下的溫度區域中保持1分以上的光吸收層成膜工序后的維氏硬度為Hv250以上450以下。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池基板用鐵素體不銹鋼箔,其中,除了所述Cr以及Nb,還以質量%含有2.0%以下的Mo。
3.根據權利要求1或2所述的太陽能電池基板用鐵素體不銹鋼箔,其中,
在實施退火后,以60%以上的壓下率實施冷軋,接下來,在惰性氣體環境中,以10℃/s以上100℃/s以下的升溫速度升溫至熱處理溫度T℃,并且以該熱處理溫度T℃保持1s以上60s以下,之后實施以5℃/s以上50℃/s以下的冷卻速度冷卻的熱處理,由此制造所述太陽能電池基板用鐵素體不銹鋼箔,
所述熱處理溫度T℃是相對于從450℃以上650℃以下的溫度區域中選擇的光吸收層成膜工序時的基板的溫度X滿足下述(1)、(2)式的溫度,
在450℃≦X<600℃時,300℃≦T≦800℃…(1)
在600℃≦X≦650℃時,X-300℃≦T≦800℃…(2)。
4.一種太陽能電池基板用鐵素體不銹鋼箔的制造方法,其中,
在對以質量%含有14%以上24%的Cr以下以及0.1%以上0.6%以下的Nb的鐵素體不銹鋼鋼板實施了退火之后,以60%以上的壓下率實施冷軋,接下來,在惰性氣體環境中,以10℃/s以上100℃/s以下的升溫速度升溫至熱處理溫度T℃,并且以該熱處理溫度T℃保持1s以上60s以下,之后實施以5℃/s以上50℃/s以下的冷卻速度冷卻的熱處理,
所述熱處理溫度T℃是相對于從450℃以上650℃以下的溫度區域中選擇的任意的溫度X滿足下述(1)、(2)式的溫度,
在450℃≦X<600℃時,300℃≦T≦800℃…(1)
在600℃≦X≦650℃時,X-300℃≦T≦800℃…(2)。
5.根據權利要求4所述的太陽能電池基板用鐵素體不銹鋼箔的制造方法,其中,所述鐵素體不銹鋼鋼板還以質量%含有2.0%以下的Mo。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





