[發明專利]金屬配線用基板清洗劑和半導體基板的清洗方法

在審

• 申請號: 201480015211.0
• 申請日: 2014-04-09
• 公開（公告）號: CN105190846A
• 公開（公告）日: 2015-12-23
• 發明（設計）人: 水田浩德;綿引勉;前澤典明
• 申請（專利權）人: 和光純藥工業株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;C11D7/32
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 龐東成;褚瑤楊

1.一種用于具有金屬配線的基板的清洗劑，其中，其包含pH為10以上的水溶液，所述水溶液含有(A)具有含氮雜環的羧酸和(B)烷基羥胺。

2.如權利要求1所述的清洗劑，其中，(A)具有含氮雜環的羧酸為具有含氮不飽和雜環的羧酸。

3.如權利要求1所述的清洗劑，其中，(A)具有含氮雜環的羧酸為具有含氮不飽和雜環和氨基的羧酸。

4.如權利要求3所述的清洗劑，其中，具有含氮不飽和雜環和氨基的羧酸為通式(1)所示的物質，

式中，n個R¹分別獨立地表示氫原子或具有含氮不飽和雜環的基團，n表示1～3的整數，其中，n個R¹中，至少1個為具有含氮不飽和雜環的基團。

5.如權利要求3所述的清洗劑，其中，具有含氮不飽和雜環和氨基的羧酸為通式(1')所示的物質，

式中，R^1'表示含氮不飽和雜環基團。

6.如權利要求3所述的清洗劑，其中，具有含氮不飽和雜環和氨基的羧酸為組氨酸。

7.如權利要求1所述的清洗劑，其中，(B)烷基羥胺為通式(2)所示的物質，

式中，R²表示碳數1～6的烷基，R³表示氫原子或碳數1～6的烷基。

8.如權利要求1所述的清洗劑，其中，(B)烷基羥胺為N,N-二乙基羥胺或N-正丙基羥胺。

9.如權利要求1所述的清洗劑，其中，(B)烷基羥胺為N,N-二乙基羥胺。

10.如權利要求1所述的清洗劑，其中，其pH為10以上13以下。

11.如權利要求1所述的清洗劑，其中，其進一步含有(C)堿性化合物。

12.如權利要求11所述的清洗劑，其中，(C)堿性化合物為季銨鹽。

13.如權利要求12所述的清洗劑，其中，季銨鹽為四甲基氫氧化銨或膽堿。

14.如權利要求11所述的清洗劑，其中，其含有0.01重量％～10重量％的(A)具有含氮雜環的羧酸、0.05重量％～25重量％的(B)烷基羥胺、0.01重量％～5重量％的(C)堿性化合物。

15.如權利要求1所述的清洗劑，其中，金屬配線為銅配線或銅合金配線。

16.一種半導體基板的清洗方法，其中，使用權利要求1所述的清洗劑。

17.如權利要求16所述的清洗方法，其中，半導體基板為具有銅配線或銅合金配線的半導體基板。

18.如權利要求16所述的清洗方法，其中，半導體基板為化學機械研磨(CMP)工序后的基板。

19.如權利要求17所述的清洗方法，其中，除去銅配線或銅合金配線表面的源自苯并三唑或其衍生物、喹哪啶酸或其衍生物以及喹啉酸或其衍生物的至少任一種的覆膜。

20.如權利要求17所述的清洗方法，其中，除去氫氧化銅(II)和氧化銅(II)的至少任一種。