[發明專利]光電轉換元件

在審

• 申請號: 201480015122.6
• 申請日: 2014-04-09
• 公開（公告）號: CN105190906A
• 公開（公告）日: 2015-12-23
• 發明（設計）人: 原田真臣;神川剛;辻埜和也
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/0747
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 戚傳江;謝麗娜

1.一種光電轉換元件，將光轉換成電，其特征在于，

具備至少在一個面形成有包括多個傾斜面的凹凸構造的硅基板，

在與夾著所述凹凸構造的凹部且相鄰的2個傾斜面相交的線垂直的剖面中，在將所述2個傾斜面中的一方的切線與所述凹部的最深部的切線相交的點、和所述2個傾斜面中的另一方的切線與所述凹部的最深部的切線相交的點之間的距離設為底部寬度時，

所述底部寬度為20nm以上。

2.根據權利要求1所述的光電轉換元件，其特征在于，

所述底部寬度是100～600nm。

3.根據權利要求1或2所述的光電轉換元件，其特征在于，

在所述硅基板的至少受光面側形成有所述凹凸構造，

所述光電轉換元件還具備：

第1非晶質本征半導體層，與所述硅基板的一個面相接而形成；

第1導電類型半導體層，形成在所述第1非晶質本征半導體層上，導電類型與所述硅基板不同；

第2非晶質本征半導體層，與所述硅基板的另一個面相接而形成；以及

第2導電類型半導體層，形成在所述第2非晶質本征半導體層上，導電類型與所述硅基板相同。

4.根據權利要求1或2所述的光電轉換元件，其特征在于，

在所述硅基板的至少受光面側形成所述凹凸構造，

所述光電轉換元件還具備：

第1非晶質本征半導體層，與所述硅基板的受光面相接而形成；

第2非晶質本征半導體層以及第3非晶質本征半導體層，與所述硅基板的另一個面相接而形成，并且配置在所述硅基板的面內方向上；

第1導電類型半導體層，形成在所述第2非晶質本征半導體層上，導電類型與所述硅基板不同；以及

第2導電類型半導體層，形成在所述第3非晶質本征半導體層上，導電類型與所述硅基板相同。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的光電轉換元件，其特征在于，

所述凹凸構造的凸部的底面的一邊的長度是0.6～20μm。