[發明專利]與贗配電子和光電器件的平面接觸

在審

• 申請號: 201480015040.1
• 申請日: 2014-03-13
• 公開（公告）號: CN105144345A
• 公開（公告）日: 2015-12-09
• 發明（設計）人: J·R·格蘭達斯基;L·J·斯高沃特;M·賈米勒;M·C·門德里科;S·R·吉布
• 申請（專利權）人: 晶體公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01J37/317
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇;李科

1.一種形成與紫外(UV)發光器件的接觸的方法，所述方法包括：

提供具有AlyGa1-yN頂表面的襯底，其中y≥0.4；

在所述襯底上形成有源的發光器件結構，所述發光器件結構包括多個層，每層包括AlxGa1-xN；

在所述發光器件結構上形成無摻雜分級Al1-zGazN層，所述分級層的組成以Ga濃度z分級，使得所述Ga濃度z在離開所述發光器件結構的方向上增加；

在所述分級層上形成p型摻雜Al1-wGawN覆蓋層，該覆蓋層(i)具有在2nm和30nm之間的厚度，(ii)對于樣本大小為200μmx300μm表面粗糙度小于6nm，以及(iii)Ga濃度w≥0.8；以及

在所述Al1-wGawN覆蓋層上形成包括至少一種金屬的金屬接觸件，所述金屬接觸件對所述Al1-wGawN覆蓋層具有小于1.0mΩ·cm2的接觸電阻率。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述Al1-wGawN覆蓋層包括以850℃和900℃之間的溫度和小于50Torr的生長壓力的外延生長。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述生長壓力為20Torr。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述Al1-wGawN覆蓋層摻雜有Mg。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述Al1-wGawN覆蓋層至少部分弛豫。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述發光器件具有大于25％的光子提取效率。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述分級層和Al1-wGawN覆蓋層共同吸收小于80％的UV光子，所述UV光子由所述發光器件結構產生并且具有小于340nm的波長。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述金屬接觸件中的至少一種金屬包括Ni/Au或Pd。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述金屬接觸件對于由所述發光器件結構產生的光具有60％或更少的反射率。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述金屬接觸件對于由所述發光器件結構產生的光具有30％或更少的反射率。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，所述金屬接觸件被形成為所述至少一種金屬的多個離散的線和/或像素，所述Al1-wGawN覆蓋層的部分未被所述金屬接觸件覆蓋。

12.根據權利要求11所述的方法，還包括在所述金屬接觸件和所述Al1-wGawN覆蓋層的未覆蓋部分上形成反射體。