[發(fā)明專利]用于過電壓事件保護的設備及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480014787.5
• 申請日: 2014-02-27
• 公開（公告）號: CN105051821B
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發(fā)明（設計）人: 詹姆斯·戴維斯;邁克爾·謝納
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

1.一種用于過電壓事件保護的設備，其包括：

晶閘管，其耦合到節(jié)點且經配置以使與在所述節(jié)點處的過電壓事件相關聯(lián)的電流放電，其中所述過電壓事件包含具有超過所述晶閘管的觸發(fā)電壓的量值的負電壓；

第一晶體管，其耦合到所述晶閘管且經配置以調整所述觸發(fā)電壓的所述量值；及

第二晶體管，其耦合到所述第一晶體管，其中所述第二晶體管是與所述第一晶體管合并的橫向雙極結型晶體管BJT，且其中所述第一晶體管和所述第二晶體管共享至少兩個導電區(qū)域。

2.根據權利要求1所述的設備，其中所述第一晶體管為p型場效應晶體管。

3.根據權利要求2所述的設備，其中所述晶閘管包括耦合到第二BJT的第一BJT，其中所述第一BJT耦合到所述節(jié)點且所述第二BJT耦合到參考節(jié)點。

4.根據權利要求3所述的設備，其中所述第一晶體管的漏極耦合到與所述第二BJT的集電極共享的所述第一BJT的基極，且其中所述第一晶體管的源極耦合到所述參考節(jié)點。

5.根據權利要求1所述的設備，其中所述第一晶體管經配置以當處于第一狀態(tài)時將所述觸發(fā)電壓的所述量值調整到第一電壓且當處于第二狀態(tài)時將所述觸發(fā)電壓的所述量值調整到第二電壓。

6.根據權利要求5所述的設備，其中所述第一狀態(tài)與操作模式相關聯(lián)，且其中所述第二狀態(tài)與靜電放電模式相關聯(lián)。

7.根據權利要求5所述的設備，其中所述第一電壓大于所述第二電壓。

8.根據權利要求1所述的設備，其進一步包括與所述晶閘管并聯(lián)耦合到所述節(jié)點的受保護電路。

9.根據權利要求1所述的設備，其中所述過電壓事件為靜電放電ESD事件。

10.一種用于過電壓事件保護的設備，其包括：

摻雜有第一摻雜劑類型的第一阱；

所述第一阱內的第一區(qū)域及第二區(qū)域，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域摻雜有第二摻雜劑類型；

摻雜有所述第二摻雜劑類型的第二阱，所述第二阱在所述第一阱內；

摻雜有所述第一摻雜劑類型的所述第二阱內的第三區(qū)域；

柵極；

其中所述第一區(qū)域、所述柵極、所述第一阱及所述第二區(qū)域一起形成晶體管，其中所述第一區(qū)域、所述第一阱及所述第二區(qū)域一起形成橫向雙極結型晶體管，且所述第三區(qū)域、所述第二阱、所述第一阱及所述第二區(qū)域一起形成晶閘管。

11.根據權利要求10所述的設備，其中所述第三區(qū)域、所述第二阱及所述第一阱一起形成所述晶閘管的第一雙極結型晶體管BJT，且其中所述第二阱、所述第一阱及所述第二區(qū)域一起形成所述晶閘管的第二BJT。

12.根據權利要求10所述的設備，其中所述第三區(qū)域耦合到節(jié)點，且其中所述第二阱耦合到所述第一區(qū)域。

13.根據權利要求12所述的設備，其中所述第一摻雜劑類型為n型摻雜劑且所述第二摻雜劑類型為p型摻雜劑，且其中所述晶閘管經配置以響應于所述節(jié)點具有與觸發(fā)電壓相比具有更大負量值的負電壓而使來自所述節(jié)點的電流放電。

14.根據權利要求13所述的設備，其中基于所述晶體管的狀態(tài)調整所述觸發(fā)電壓，其中當所述晶體管的所述柵極的電壓具有第一值時，所述晶體管處于第一狀態(tài)；且當所述晶體管的所述柵極的所述電壓具有第二值時，所述晶體管處于第二狀態(tài)。