[發明專利]用于薄膜封裝的N2O稀釋工藝對阻擋膜性能的改進

在審

• 申請號: 201480014618.1
• 申請日: 2014-03-10
• 公開（公告）號: CN105190932A
• 公開（公告）日: 2015-12-23
• 發明（設計）人: Y·J·崔;B·S·樸;崔壽永
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L21/205
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 黃嵩泉

1.一種OLED器件，所述OLED器件包括：

OLED結構，所述OLED結構形成在基板上；以及

多層封裝層，所述多層封裝層形成在所述OLED結構上，包括在所述OLED結構及所述基板的暴露表面上形成的一或多個無機層，其中所述一或多個無機層中的至少一層包括氧摻雜氮化硅。

2.根據權利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述無機層的水蒸汽透過率小于100mg/m²-天。

3.根據權利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述OLED結構包括空穴注入層、空穴傳輸層、發射層、電子傳輸層以及電子注入層。

4.根據權利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述一或多個無機層包含氮化硅(SiN)、氧氮化硅(SiON)、氧化硅(SiO)、碳化硅(SiC)或上述項的組合，并且具有在-2×10⁹達因/cm²與-0.1×10⁹達因/cm²之間的應力。

5.一種OLED器件，所述OLED器件包括：

OLED結構，所述OLED結構形成在基板上；以及

多層封裝層，所述多層封裝層形成在所述OLED結構上，包括：

第一無機層，所述第一無機層形成在所述OLED結構及所述基板的暴露表面上；

一或多個有機層，所述一或多個有機層形成在所述第一無機層上；以及

一或多個第二無機層，所述一或多個第二無機層形成在所述一或多個有機層中的至少一層上，其中所述一或多個第二無機層中的至少一層包含氮化硅，所述氮化硅摻雜有含氧氣體。

6.根據權利要求5所述的OLED器件，其特征在于，所述含氧氣體是一氧化二氮、一氧化氮或臭氧。

7.根據權利要求5所述的OLED器件，其特征在于，所述無機層的水蒸汽透過率小于100mg/m²-天。

8.根據權利要求5所述的OLED器件，其特征在于，所述OLED結構包括空穴注入層、空穴傳輸層、發射層、電子傳輸層以及電子注入層。

9.根據權利要求5所述的OLED器件，其特征在于，所述一或多個第二無機層中的至少一層包含氮化硅(SiN)、氧氮化硅(SiON)、氧化硅(SiO)、碳化硅(SiC)或上述項的組合，并且具有在-2×10⁹達因/cm²與-0.1×10⁹達因/cm²之間的應力。

10.根據權利要求5所述的OLED器件，其特征在于，所述第一無機層是無機氮化物或無機氧化物層。

11.根據權利要求5所述的OLED器件，其特征在于，所述一或多個第二無機層是無機氮化物或無機氧化物層。

12.一種沉積封裝結構的方法，所述方法包括：

將基板定位在處理腔室中；

在所述基板表面上形成OLED結構；

使包含一氧化二氮和硅烷化合物的沉積氣體流入所述處理腔室中，其中所述一氧化二氮和所述硅烷化合物以從約0.3:1至約3:1的比率來傳送；以及

從所述沉積氣體在所述OLED結構和所述基板的所述表面上沉積無機層，所述無機層包含氧摻雜氮化硅。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述無機層以約90℃或更低的溫度沉積，并且其中所述沉積氣體進一步包括NH₃、N₂和H₂。

14.根據權利要求12所述的方法，所述方法進一步包括：

從第二沉積氣體在包含氧摻雜氮化硅的所述無機層上沉積一或多個第二無機層。

15.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述一氧化二氮和所述硅烷化合物以從約0.5:1至約1:1的比率來傳送。