[發(fā)明專利]用于利用芯玻璃和包覆玻璃形成玻璃片的設備和方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480014553.0
• 申請日: 2014-02-25
• 公開（公告）號: CN105452180B
• 公開（公告）日: 2018-01-26
• 發(fā)明（設計）人: 阿列克謝·謝爾蓋耶維奇·阿莫索夫;歐魯斯·耐力·博拉塔夫;弗蘭克·托馬斯·科波拉;維亞迪斯拉夫·尤里耶維奇·戈利亞京;史蒂芬·邁克爾·米利洛;喬治·克林頓·謝伊
• 申請（專利權(quán)）人: 康寧公司
• 主分類號: C03B17/02
• 分類號: C03B17/02;C03B17/06
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國,吳啟超

1.一種玻璃形成設備，所述設備包含：

沿所述設備的長度延伸的熔融芯玻璃儲槽；

在所述熔融芯玻璃儲槽的至少第一側(cè)上的堰；

其中所述堰包含傾斜表面，所述傾斜表面在熔融玻璃流的所預期方向上以垂直方向向下傾斜，同時以水平方向延伸遠離所述熔融芯玻璃儲槽；

其中，沿所述堰的至少一個橫截面，所述傾斜表面離所述熔融芯玻璃儲槽的最近點與最遠點之間的水平距離(A)大于所述熔融芯玻璃儲槽與所述傾斜表面離所述熔融玻璃儲槽的所述最遠點之間的水平距離(B)的一半；

其中熔融包覆玻璃源被配置在所述玻璃形成設備上方，以使得當熔融包覆玻璃從所述熔融包覆玻璃源向下流動且熔融芯玻璃溢出所述堰時，所述熔融包覆玻璃下落到所述熔融芯玻璃上的最高上游接觸點，所述最高上游接觸點位于所述堰的所述傾斜表面正上方；且

其中所述玻璃形成設備進一步包含在所述熔融芯玻璃儲槽的第二側(cè)上的堰，其中所述熔融芯玻璃儲槽的所述第一側(cè)上的所述堰和所述熔融芯玻璃儲槽的所述第二側(cè)上的所述堰會聚以在所述儲槽下方一距離處形成根部，且其中溢出所述熔融芯玻璃儲槽的所述第一側(cè)上的所述堰的熔融玻璃及溢出所述熔融芯玻璃儲槽的所述第二側(cè)上的所述堰的熔融玻璃會聚以在所述根部下方形成熔融玻璃片。

2.如權(quán)利要求1所述的玻璃形成設備，其中所述熔融包覆玻璃源包含沿所述熔融包覆玻璃源的長度延伸的熔融包覆玻璃儲槽及所述熔融包覆玻璃儲槽的第一側(cè)上的壁和所述熔融包覆玻璃儲槽的第二側(cè)上的壁，以使得當熔融包覆玻璃溢出在所述熔融包覆玻璃儲槽的所述第一側(cè)上的所述壁及溢出所述熔融包覆玻璃儲槽的所述第二側(cè)上的所述壁時，溢出所述熔融包覆玻璃儲槽的所述第一側(cè)上的所述壁的所述熔融包覆玻璃下落到溢出所述熔融芯玻璃儲槽的所述第一側(cè)上的所述堰的熔融芯玻璃上的最高上游接觸點處，且溢出所述熔融包覆玻璃儲槽的所述第二側(cè)上的所述壁的所述熔融包覆玻璃下落到溢出所述熔融芯玻璃儲槽的所述第二側(cè)上的所述堰的熔融芯玻璃上的最高上游接觸點，所述最高上游接觸點位于所述堰的所述傾斜表面正上方。

3.如權(quán)利要求1所述的玻璃形成設備，其中所述堰進一步包含所述傾斜表面與所述熔融芯玻璃儲槽之間的臺階式表面區(qū)域，所述臺階式表面區(qū)域包含具有平均傾斜度的降階表面，所述平均傾斜度大于所述傾斜表面的平均傾斜度。

4.如權(quán)利要求1所述的玻璃形成設備，其中沿所述堰的至少一個橫截面，所述傾斜表面具有5度至45度的平均傾斜度。

5.如權(quán)利要求3所述的玻璃形成設備，其中沿所述堰的至少一個橫截面，所述傾斜表面具有5度至45度的平均傾斜度，且所述降階表面具有45度至90度的平均傾斜度。

6.如權(quán)利要求3所述的玻璃形成設備，其中沿所述堰的至少一個橫截面，所述降階表面的最高點與最低點之間的垂直距離(C)大于所述傾斜表面的最高點與最低點之間的垂直距離(D)。

7.如權(quán)利要求6所述的玻璃形成設備，其中沿所述堰的至少一個橫截面，所述降階表面的所述最高點與所述最低點之間的垂直距離(C)小于所述傾斜表面離所述熔融芯玻璃儲槽的最近點與最遠點之間的水平距離(A)。

8.如權(quán)利要求6所述的玻璃形成設備，其中沿所述堰的至少一個橫截面，所述降階表面的所述最高點與所述最低點之間的垂直距離(C)大于所述傾斜表面離所述熔融芯玻璃儲槽的所述最近點與所述最遠點之間的水平距離(A)。

9.如權(quán)利要求3所述的玻璃形成設備，其中所述堰的高度沿所述堰的長度從第一端到第二端增加，且所述傾斜表面與所述降階表面的相交部的高度沿所述堰的所述長度從第一端到第二端增加。

10.如權(quán)利要求3所述的玻璃形成設備，其中所述堰的所述高度沿所述堰的所述長度從第一端到第二端增加，且所述傾斜表面與所述降階表面的所述相交部的所述高度不沿所述堰的所述長度從第一端到第二端增加。