[發明專利]射頻集成電路(RFIC)充電器件模型(CDM)保護

有效

• 申請號: 201480014492.8
• 申請日: 2014-03-10
• 公開（公告）號: CN105190886B
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發明（設計）人: P·S·S·古德姆;H·卡特里;D·V·歌德博爾;E·R·沃萊
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H02H9/04;H03F1/52
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 唐杰敏

1.一種裝置，包括：

輸入器件；

正供電電壓焊盤；

輸入信號焊盤；

接地焊盤；以及

保護所述輸入器件免受靜電放電的充電器件模型保護電路系統，其中所述充電器件模型保護電路系統包括de-Q電路系統和共源共柵器件中的至少一者，并且其中所述共源共柵器件通過觸發電壓來觸發。

2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述充電器件模型保護電路系統包括de-Q電路系統，其中所述de-Q電路系統包括串聯的電阻器和二極管，其中所述輸入器件包括n溝道晶體管，其中所述電阻器耦合到所述n溝道晶體管的源極，并且其中所述二極管的陰極耦合到所述n溝道晶體管的柵極。

3.如權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述de-Q電路系統限制通過所述n溝道晶體管的寄生路徑的電流，從而降低所述n溝道晶體管的柵極與所述n溝道晶體管的源極之間的電壓形成。

4.如權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述de-Q電路系統通過耦合在所述接地焊盤與所述輸入信號焊盤之間的+ve二極管來引導靜電放電。

5.如權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述de-Q電路系統將從所述n溝道晶體管的柵極到所述n溝道晶體管的源極的電壓保持成小于所述輸入信號焊盤與所述裝置上的本地接地節點之間的電壓差。

6.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述充電器件模型保護電路系統包括共源共柵器件，并且其中所述共源共柵器件在-ve靜電放電期間使所述輸入器件導通。

7.如權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述共源共柵包括第一n溝道晶體管，其中所述第一n溝道晶體管的柵極耦合到RC鉗觸發電壓，并且其中所述第一n溝道晶體管的源極耦合到所述輸入器件的漏極。

8.如權利要求7所述的裝置，其特征在于，使所述輸入器件導通增加所述輸入器件的源極電勢，從而保護所述輸入器件的柵極-到-源極。

9.一種用于靜電放電保護的方法，包括：

在接地焊盤處檢測+ve電壓脈沖；

傳導電流通過耦合在所述接地焊盤與輸入信號焊盤之間的+ve二極管；

生成跨耦合在輸入器件與所述接地焊盤之間的退化電感器的壓降；

使用de-Q電路系統來限制從所述輸入器件的源極到達所述輸入器件的柵極的電流；以及

維持從所述輸入器件的柵極到所述輸入器件的源極的電壓低于所述輸入器件的故障點。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述de-Q電路系統包括串聯的電阻器和二極管，其中所述輸入器件包括n溝道晶體管，其中所述電阻器耦合到所述n溝道晶體管的源極，并且其中所述二極管的陰極耦合到所述n溝道晶體管的柵極。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，所述de-Q電路系統限制通過所述n溝道晶體管的寄生路徑的電流，從而降低所述n溝道晶體管的柵極與所述n溝道晶體管的源極之間的電壓形成。

12.如權利要求10所述的方法，其特征在于，所述de-Q電路系統引導靜電放電通過所述+ve二極管。

13.如權利要求10所述的方法，其特征在于，所述de-Q電路系統將從所述n溝道晶體管的柵極到所述n溝道晶體管的源極的電壓保持成小于所述輸入信號焊盤與本地接地節點之間的電壓差。

14.一種用于靜電放電保護的方法，包括：

在輸入信號焊盤處檢測-ve電壓脈沖；

傳導電流通過耦合在所述輸入信號焊盤和本地供電節點之間的-ve二極管；

經由RC鉗來將-ve電流導向到接地焊盤；

使用來自所述RC鉗的RC鉗觸發電壓來使共源共柵器件導通；

使用所述共源共柵器件來使輸入器件導通；以及

維持從所述輸入器件的柵極到所述輸入器件的源極的電壓低于所述輸入器件的故障點。

15.如權利要求14所述的方法，其特征在于，所述共源共柵器件包括共源共柵器件，并且其中所述共源共柵器件在-ve靜電放電期間使所述輸入器件導通。