[發(fā)明專利]卷繞磁芯和其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480014465.0
• 申請(qǐng)日: 2014-03-12
• 公開（公告）號(hào): CN105074841B
• 公開（公告）日: 2017-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 東大地;伊藤直輝;佐佐木淳;和井伸一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日立金屬株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01F27/24
• 分類號(hào): H01F27/24;H01F27/25;H01F41/02
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,張會(huì)華

1.一種卷繞磁芯，其中，

該卷繞磁芯通過(guò)卷繞Fe基非晶態(tài)合金薄帶而成，在Fe基非晶態(tài)合金薄帶的寬度方向上的中央部具有凹部列，該中央部的該寬度方向上的長(zhǎng)度與該Fe基非晶態(tài)合金薄帶的該寬度方向上的整個(gè)幅寬之比是0.2以上且0.8以下，該凹部列由利用激光照射形成的多個(gè)凹部構(gòu)成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷繞磁芯，其中，

所述凹部列的、合金薄帶長(zhǎng)度方向上的間隔是2mm以上且20mm以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的卷繞磁芯，其中，

所述Fe基非晶態(tài)合金薄帶的厚度是15μm以上且40μm以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的卷繞磁芯，其中，

所述Fe基非晶態(tài)合金薄帶的整個(gè)幅寬是15mm以上且250mm以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的卷繞磁芯，其中，

以所述凹部列的相鄰的凹部之間的中心間距離均等，而且在寬度方向上所述凹部的單位長(zhǎng)度上的數(shù)量為4個(gè)/mm以上且8個(gè)/mm以下的方式設(shè)置所述凹部的形成間隔。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的卷繞磁芯，其中，

俯視所述凹部時(shí)的形狀是圓形或橢圓形。

7.一種卷繞磁芯的制造方法，其中，

該制造方法包括：

凹部形成工序，在該凹部形成工序中，通過(guò)向Fe基非晶態(tài)合金薄帶的寬度方向上的中央部以脈沖狀照射激光而形成凹部，該中央部的該寬度方向上的長(zhǎng)度與該Fe基非晶態(tài)合金薄帶的該寬度方向上的整個(gè)幅寬之比是0.2以上且0.8以下；以及

卷繞工序，在該卷繞工序中，通過(guò)卷繞已形成有所述凹部的Fe基非晶態(tài)合金薄帶而做成磁芯。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的卷繞磁芯的制造方法，其中，

在所述凹部形成工序中，通過(guò)在合金薄帶長(zhǎng)度方向上設(shè)置2mm以上且20mm以下的間隔并以脈沖狀照射激光而形成所述凹部。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的卷繞磁芯的制造方法，其中，

所述Fe基非晶態(tài)合金薄帶的厚度是15μm以上且40μm以下。