[發明專利]涂層及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 201480014358.8
• 申請日: 2014-03-13
• 公開（公告）號: CN105246987B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 托馬斯·阿本德羅特;霍爾格·阿爾特尤斯;格里特·梅德;斯蒂芬·卡斯凱爾
• 申請（專利權）人: 弗勞恩霍夫應用研究促進協會
• 主分類號: C09D5/33
• 分類號: C09D5/33;F24J2/48;C09D5/00;C09D7/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 李艷,臧建明

1.一種涂層，包含形成在基底的表面上或形成在于所述基底的表面上形成的反射層上的層，

其中，所述層由包含在所述層中的碳納米管形成，且在這方面所述層的每單位面積或單位體積中所含的碳納米管的比例和/或層厚度選擇為，使得所述層以可預先設定的比例吸收來自太陽光的波長光譜的電磁輻射，且來自黑輻射體在大于50℃溫度發出的波長光譜的電磁輻射的比例小于25％，并且其中所述層中包含的碳納米管的比例為至少0.05g/m²且最多5g/m²。

2.根據權利要求1所述的涂層，其特征在于，形成所述層的碳納米管不規則地排列在所述基底的表面上，且在這方面至少主要平行地排列在一平面中，所述平面與所述基底的表面或形成于所述表面上的反射層的表面平行。

3.根據前述任一權利要求所述的涂層，其特征在于，由所述碳納米管形成的層被保護層覆蓋。

4.根據權利要求3所述的涂層，其特征在于，所述保護層由氧化物形成。

5.根據權利要求4所述的涂層，其特征在于，所述保護層由選自SnO₂、TiO₂、SiO₂、ZnO、In₂O₃和Al₂O₃的氧化物形成。

6.根據權利要求1所述的涂層，其特征在于，所述基底是由反射至少60％的來自黑輻射體的波長光譜的電磁輻射的材料形成，或所述基底的表面被所述材料涂覆。

7.根據權利要求6所述的涂層，其特征在于，由所述碳納米管形成的層形成在所述基底表面上或形成在以這種方式涂覆的基底表面上，所述材料選自鋼、鋁、銅、銀、金、鎳、鉬和鈀。

8.根據權利要求1所述的涂層，其特征在于，所述層中包含的碳納米管的比例為至少0.25g/m²且最多2.5g/m²。

9.根據權利要求1所述的涂層，其特征在于，包含碳納米管的所述層具有從10nm到2000nm范圍的層厚度。

10.根據權利要求3所述的涂層，其特征在于，所述保護層具有從20nm到1000nm范圍的層厚度。

11.根據權利要求3所述的涂層，其特征在于，所述保護層反射至少50％的來自由黑輻射體發出的輻射的波長范圍的電磁輻射。

12.一種制備前述任一權利要求所述涂層的方法，其中，

將包含均勻分散在液體中的至少一種表面活性劑和碳納米管的分散體施加到基底的表面，或施加到形成于所述基底表面上的反射層的表面，所述反射層是由反射至少50％的來自由黑輻射體發出的電磁輻射的波長光譜的電磁輻射的材料形成，

之后通過干燥移除所述液體，通過溶劑移除所述表面活性劑，其中以這種方式形成的所述層的吸收性質和/或透射性質受所述分散體中觀察到的碳納米管的比例的影響。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，在所述層上形成由氧化物形成的保護層。

14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，所述保護層由TiO₂、SiO₂或Al₂O₃或部分地光學透明的導電氧化物形成。

15.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，所述保護層使用CVD方法在大氣壓力條件下形成或以濕法化學方法形成。

16.根據權利要求1-11中任一項所述的涂層的應用，用于太陽能技術中的吸收器的制備。

17.根據權利要求16所述的應用，用于吸收管的制備。