[發(fā)明專利]用于創(chuàng)建多孔反射接觸件的方法和裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480014149.3
• 申請(qǐng)日: 2014-03-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105009308B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J.E.伊普勒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 亮銳控股有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/16
• 分類號(hào): H01L33/16;H01L33/42
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 孫之剛;景軍平

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

包括第一半導(dǎo)體區(qū)和第二半導(dǎo)體區(qū)的多個(gè)半導(dǎo)體區(qū)，其中一個(gè)半導(dǎo)體區(qū)為N型區(qū)并且另一個(gè)半導(dǎo)體區(qū)為P型區(qū)；

設(shè)置在半導(dǎo)體區(qū)之間的發(fā)光區(qū)；

從其發(fā)射提取自半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的光的大部分的第一表面；與第一表面相對(duì)的第二表面；

電氣連接到一個(gè)半導(dǎo)體區(qū)的第一接觸件，第一接觸件包括：

第一ITO區(qū)；以及

金屬化區(qū)；

設(shè)置在第一接觸件和發(fā)光區(qū)之間并且在發(fā)光區(qū)的與第一表面相對(duì)的側(cè)面上的第一多孔區(qū)，其中第一多孔區(qū)是半導(dǎo)體區(qū)；以及

電氣連接到一個(gè)半導(dǎo)體區(qū)的第二接觸件；

其中第一接觸件和第二接觸件連接到不同半導(dǎo)體區(qū)。

2.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中部分的第一半導(dǎo)體區(qū)和發(fā)光層被移除以暴露第二半導(dǎo)體區(qū)的第三表面，并且第二接觸件設(shè)置在第三表面上。

3.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在第一接觸件和第二接觸件中的一個(gè)上的匹配襯底。

4.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括生長(zhǎng)襯底，其中一個(gè)半導(dǎo)體區(qū)設(shè)置在生長(zhǎng)襯底上。

5.權(quán)利要求4的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中生長(zhǎng)襯底是GaN、SiC或藍(lán)寶石中的一個(gè)。

6.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一表面的一部分之上的導(dǎo)電材料。

7.權(quán)利要求4的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中設(shè)置在生長(zhǎng)襯底上的半導(dǎo)體區(qū)是第一半導(dǎo)體區(qū)，并且第一表面是與第二半導(dǎo)體區(qū)相對(duì)的生長(zhǎng)襯底的表面。

8.權(quán)利要求7的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中生長(zhǎng)襯底是導(dǎo)電GaN，并且第二接觸件形成在第一表面上。

9.權(quán)利要求4的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中生長(zhǎng)襯底被移除，并且透明窗口半導(dǎo)體已經(jīng)鍵合到第二區(qū)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一表面與透明窗口半導(dǎo)體的鍵合界面相對(duì)。

10.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中發(fā)光區(qū)設(shè)置在第一表面和第一多孔區(qū)之間。

11.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中第一接觸件電氣連接到P型區(qū)，并且第一多孔區(qū)設(shè)置在P型區(qū)與第一接觸件之間。

12.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中第一接觸件電氣連接到N型區(qū)，并且第一多孔區(qū)設(shè)置在N型區(qū)與第一接觸件之間。

13.權(quán)利要求12的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括電氣連接到P型區(qū)的第二接觸件。

14.權(quán)利要求11的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括電氣連接到N型區(qū)的第二接觸件。

15.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括第二接觸件，其中第一和第二接觸件中的一個(gè)設(shè)置在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二表面上，并且第一和第二接觸件中的另一個(gè)設(shè)置在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中所形成的空隙中。

16.權(quán)利要求6的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中導(dǎo)電材料是第二ITO區(qū)。

17.權(quán)利要求16的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括第二接觸件，其包括設(shè)置在第二ITO區(qū)之上的接觸件金屬。

18.權(quán)利要求2的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中生長(zhǎng)襯底保持附接到N型區(qū)，并且第一表面是與N區(qū)相對(duì)的生長(zhǎng)襯底的表面。

19.權(quán)利要求18的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中生長(zhǎng)襯底是導(dǎo)電GaN。

20.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè)表面基本上垂直于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一表面。