[發明專利]用于堆棧式硅晶互連技術產物的無基板插入物技術有效
| 申請號： | 201480012979.2 | 申請日： | 2014-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN105051896B | 公開（公告）日： | 2017-06-06 |
| 發明（設計）人： | 權云星;蘇芮戌·瑞瑪林嘉;金納胡;金重浩 | 申請（專利權）人： | 吉林克斯公司 |
| 主分類號： | H01L23/498 | 分類號： | H01L23/498;H01L21/48;H05K3/46;H05K3/28;H01L21/683;H01L25/065;H01L25/18;H01L21/56;H01L23/00;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司11243 | 代理人： | 許靜,安利霞 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 堆棧 式硅晶 互連 技術 產物 無基板 插入 | ||
1.一種用于堆棧式硅晶互連技術(SSIT)產物的無基板插入物，其包括：
多個金屬化層，該金屬化層的至少一最底層包括多個金屬節段，其中該多個金屬節段的每一個是構成于該金屬化層的該最底層的頂部表面與底部表面之間，并且該多個金屬節段是由該最底層中的介電材料所分隔；
介電層，其是經構成于該最底層的該底部表面上，其中該介電層包括一或更多開口以供接觸于該最底層中的多個金屬節段的至少一些；
鈍化層，其具有一或更多開口，該開口在空間上是對應于該介電層處的該一或更多開口，其中該鈍化層是構成于該介電層上；以及
凸塊下金屬層，其經由該鈍化層中的該一或更多開口接觸于該最底層中的該多個金屬節段的至少一些，該凸塊下金屬層構成于該最底層上且覆蓋該鈍化層的一部分。
2.如權利要求1所述的無基板插入物，其中該多個金屬節段包括銅。
3.如權利要求1所述的無基板插入物，其中該無基板插入物是經組態設定以支撐該金屬化層的最頂層的頂部表面上的多個IC晶粒。
4.如權利要求3所述的無基板插入物，其中該多個IC晶粒包括異質性IC晶粒。
5.如權利要求3所述的無基板插入物，其中該多個IC晶粒包括同構型IC晶粒。
6.如權利要求3所述的無基板插入物，其中在該金屬化層的該最底層中的該多個金屬節段的不同群組是分別地對應于多個IC晶粒。
7.如權利要求6所述的無基板插入物，其中該多個金屬節段的不同群組具有不同的個別節段密度。
8.如權利要求1所述的無基板插入物，其中該多個金屬化層的每一個包括多個金屬節段，并且在該金屬化層的其中一者的多個金屬節段不同于在該金屬化層的另一者的多個金屬節段。
9.一種用于堆棧式硅晶互連技術(SSIT)產物的無基板插入物，其包括：
多個金屬化層，該金屬化層的至少一最底層包括多個金屬節段，其中該多個金屬節段的每一個是構成于該金屬化層的該最底層的頂部表面與底部表面之間，并且該多個金屬節段是由該最底層中的介電材料所分隔；
介電層，其是經構成于該最底層的該底部表面上，其中該介電層包括一或更多開口以供接觸于該最底層中的多個金屬節段的至少一些；
鈍化層，其構成于該介電層上且具有在空間上是對應于該介電層處的該一或更多開口的一或更多開口；
凸塊下金屬層，其經由于該鈍化層中構成的該一或更多開口接觸該多個金屬節段的該至少一些，該凸塊下金屬層構成于該最底層上且覆蓋該鈍化層的一部分；
其中該無基板插入物是經組態設定以支撐該金屬化層的最頂層的頂部表面上的多個IC晶粒；以及
其中在該金屬化層的該最底層中的該多個金屬節段的不同群組是分別地對應于多個IC晶粒。
10.如權利要求9所述的無基板插入物，其中該多個金屬節段包括銅。
11.如權利要求9所述的無基板插入物，其中該多個IC晶粒包括異質性IC晶粒。
12.如權利要求9所述的無基板插入物，其中該多個IC晶粒包括同構型IC晶粒。
13.如權利要求9所述的無基板插入物，其中該多個金屬節段的不同群組具有不同的個別節段密度。
14.如權利要求9所述的無基板插入物，其中該多個金屬化層的每一個包括多個金屬節段，并且在該金屬化層的其中一者的多個金屬節段不同于在該金屬化層的另一者的多個金屬節段。
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