[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201480012210.0
• 申請日: 2014-03-04
• 公開（公告）號: CN105247683A
• 公開（公告）日: 2016-01-13
• 發明（設計）人: 中野佑紀;中村亮太
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/12
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;張懿

1.一種半導體裝置，其中包含：

第1導電型的半導體層，具有單元部及配置在所述單元部的周圍的外周部；

表面絕緣膜，以橫跨所述單元部及所述外周部的方式配置，形成為在所述單元部比在所述外周部的部分薄；

柵極溝槽，形成在所述單元部的表面側；

柵極電極，隔著柵極絕緣膜埋入所述柵極溝槽，當導通時在所述柵極溝槽的側部形成溝道；以及

柵極指，至少配置于所述外周部，該柵極指用于對所述柵極電極取得接觸，

所述柵極溝槽包含在所述柵極指的下方橫切所述柵極指的線狀的溝槽。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述外周部具有配置在所述柵極溝槽的深度以上的深度位置的半導體表面，

還包含具有形成在所述外周部的所述半導體表面的第2導電型的半導體區域的耐壓構造。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其中，

所述柵極溝槽包含：當導通時所述溝道形成在其側部的內側溝槽；以及由該內側溝槽的延長部構成并且相對于該內側溝槽配置在外側的外側溝槽，

所述半導體裝置進一步包含形成在所述外側溝槽的側部及底部的第2導電型的層。

4.如權利要求2所述的半導體裝置，其中，

所述柵極溝槽選擇性地形成在所述柵極指的下方區域，

所述半導體裝置進一步包含第1導電型的高濃度層，所述高濃度層形成在該下方區域中未形成所述柵極溝槽的所述半導體層的半導體表面，含有雜質濃度高于所述半導體層。

5.如權利要求1～4的任一項所述的半導體裝置，其中，

所述單元部包含：

第1導電型的源極區域，以在所述半導體層的表面露出的方式配置；

第2導電型的溝道區域，以與所述源極區域相接的方式配置并且在導通時形成所述溝道；

第1導電型的漏極區域，以與所述溝道區域相接的方式配置；

第2溝槽，在所述半導體層的所述表面選擇性地形成在以包含所述源極區域的方式劃分的源極部；以及

第2導電型的溝道接觸區域，選擇性地配置在所述第2溝槽的底部并且與所述溝道區域電連接。

6.如權利要求1～4的任一項所述的半導體裝置，其中，

所述單元部包含：

第1導電型的源極區域，以在所述半導體層的表面露出的方式配置；

第2導電型的溝道區域，以與所述源極區域相接的方式配置并且在導通時形成所述溝道；

第1導電型的漏極區域，以與所述溝道區域相接的方式配置；

第2溝槽，在所述半導體層的所述表面選擇性地形成在以包含所述源極區域的方式劃分的源極部；

溝槽埋入部，埋入所述第2溝槽；以及

第2導電型的溝道接觸區域，在所述源極部選擇性地配置在比所述第2溝槽的底部高的位置并且與所述溝道區域電連接。

7.如權利要求6所述的半導體裝置，其中，所述溝槽埋入部由形成在所述第2溝槽的內表面的絕緣膜和埋入所述絕緣膜的內側的多晶硅層構成。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，其中，所述絕緣膜由SiO2、AlON、Al2O3、SiO2/AlON、SiO2/AlON/SiO2、SiO2/SiN及SiO2/SiN/SiO2的任一個構成。

9.如權利要求7或8所述的半導體裝置，其中，所述絕緣膜具有包含氮（N）的SiO2膜。