[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201480012059.0
• 申請日: 2014-02-14
• 公開（公告）號: CN105009264B
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發明（設計）人: 理崎智光
• 申請（專利權）人: 精工半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/822;H01L27/04;H01L27/06;H01L29/78
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,黃綸偉

1.一種半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置具有：

多指型的NMOS晶體管，其組合指而成，具有交替配置于半導體襯底表面的多個源區域和多個漏區域、配置于所述源區域與所述漏區域之間的多個溝道區域、和設置在所述溝道區域上的柵電極；

源布線，其在所述NMOS晶體管的區域中設置在所述源區域上，將所述柵電極、所述源區域和接地端子電連接；以及

漏布線，其在所述NMOS晶體管的區域中設置在所述漏區域上，將所述漏區域和作為外部連接用電極的焊盤電連接，

所述源布線和所述漏布線的寬度在各所述指中是相等的，所述源布線伸出至在各所述指的區域中相鄰的所述柵電極上。