[發明專利]用于制造單片白光二極管的方法

有效

• 申請號: 201480010604.2
• 申請日: 2014-01-24
• 公開（公告）號: CN105051917B
• 公開（公告）日: 2017-10-03
• 發明（設計）人: G·納塔夫;P·德米里;S·舍諾
• 申請（專利權）人: 國家科學研究中心
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/06;H01L33/08;H01L21/02
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司11314
• 代理人: 程偉,王錦陽

1.一種制造發光二極管的方法，其特征在于所述方法包括在支撐物(50，10)的正面制備發光層(20)的步驟(220)，所述發光層包括在不同波長發光的至少兩個相鄰的量子阱(21、22、23、24)，所述量子阱(21、22、23、24)與支撐物的正面相接觸，其中，沉積發光層的步驟包括局部地改變支撐物的與正面相對的背面的溫度，使得支撐物的正面包括至少兩個處于不同溫度的區域。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在不同尺寸的區域上實現支撐物的局部溫度變化。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，沉積發光層的步驟包括下述子步驟，所述子步驟包括在各自的區域生長每個量子阱。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中，局部地改變支撐物的加熱溫度的子步驟包括在支撐物的背面對支撐物進行蝕刻，所述支撐物包括在其背面的至少一個島。

5.根據權利要求1或2所述的方法，包括制備支撐物的步驟，所述制備支撐物的步驟包括在支撐物的背面制造至少一個圖形。

6.根據權利要求5所述的方法，其中制備支撐物的步驟包括制造多個圖形以獲得具有雉堞狀背面的支撐物，所述雉堞狀背面包括臺階。

7.根據權利要求5所述的方法，其中，制備支撐物的步驟包括制造多個圖形以獲得具有雉堞狀背面的支撐物，所述雉堞狀背面包括不同厚度和/或表面的臺階。

8.根據權利要求5所述的方法，其中，制備的步驟包括在支撐物的背面對支撐物進行蝕刻，以形成至少一個溝槽。

9.根據權利要求5所述的方法，其中，制備的步驟包括在支撐物的背面沉積材料，以在支撐物的背面形成至少一個島。

10.根據權利要求1或2所述的方法，包括

-在襯底(50)上沉積(210)電子輸運層(10)，

-在發光層(20)上沉積(230)電子阻擋層(26)，

-在電子阻擋層(26)上沉積(230)空穴輸運層(30)，

-形成金屬接觸部(60，70)以使二極管能夠連接至電源。

11.根據權利要求3所述的方法，其中，通過以下方式實現每個量子阱的生長：

-通過銦、鋁、鎵和氮的氣體前驅物進行有機金屬氣相外延，或者

-通過包括銦、鋁、鎵和氮的元素源進行分子束外延。

12.一種發光二極管，其特征在于所述發光二極管包括在支撐物(50，10)的正面上的發光層(20)，所述發光層包括在不同波長發光的至少兩個相鄰的量子阱(21、22、23、24)，所述量子阱(21、22、23、24)與支撐物(50，10)的正面相接觸，其中，支撐物包括襯底，所述襯底包括在其背面的圖形，發光層在襯底的正面上延伸，其中，所述支撐物具有雉堞狀背面，所述雉堞狀背面包括不同厚度和/或表面的臺階。

13.根據權利要求12所述的發光二極管，其中，支撐物包括氮化鎵GaN襯底。

14.根據權利要求12或13所述的發光二極管，其中，支撐物包括半極性或非極性的氮化鎵GaN襯底。

15.根據權利要求12或13所述的發光二極管，包括金屬層，所述金屬層在二極管的背面的整個表面上形成陰極。