[發明專利]電磁輻射散射元件

在審

• 申請號: 201480010441.8
• 申請日: 2014-02-24
• 公開（公告）號: CN105074511A
• 公開（公告）日: 2015-11-18
• 發明（設計）人: 漢斯-克里斯托弗·埃克斯坦;烏維·澤伊特納
• 申請（專利權）人: 弗勞恩霍弗應用技術研究院
• 主分類號: G02B5/18
• 分類號: G02B5/18;G02B27/09;G02B5/02
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華;何月華

1.一種漫散射電磁輻射的光學元件，表面輪廓存在于所述光學元件的表面上，所述表面輪廓形成不重復規律的表面結構，并且在這個方面形成了升高部分，所述升高部分具有能夠達到峰值偏差的高度，并且所述峰值偏差比使用的最大波長的2.5倍大，并且所述升高部分在所有軸向方向上具有在每一平面內的橫向延展，所述橫向延展比使用的最大波長的5倍大，以及

單個所述升高部分在三個空間軸方向上連續地形成，并且在這方面，在所述升高部分上不形成邊緣、臺階部、或躍變。

2.如權利要求1所述的元件，其特征在于，具有所述表面輪廓的所述表面或遠離該表面的表面涂覆有反射涂層。

3.如權利要求1或2所述的元件，其特征在于，具有所述表面輪廓的所述表面通過準直的電磁輻射受輻射。

4.如前述權利要求中任一項所述的元件，其特征在于，所述表面結構的升高部分具有與對應于所述元件的所述表面結構的另一升高部分的幾何設計和/或高度和/或體積不同的幾何設計和/或高度和/或體積。

5.如前述權利要求中任一項所述的元件，其特征在于，所述元件適于在200nm和1200nm之間范圍內的波長光譜。

6.如前述權利要求中任一項所述的元件，其特征在于，所述元件具有在波長范圍內的可預定的散射分布，可預定的所述散射分布大于所使用的所述波長光譜的中心波長的±3％。

7.如前述權利要求中任一項所述的元件，其特征在于，在所述升高部分中不存在平穩恒定地改變的輪廓區域。

8.如前述權利要求中任一項所述的元件，其特征在于，在所述升高部分中不存在第二級表面，并且所述元件在第一衍生部中具有非一致性。

9.如前述權利要求中任一項所述的元件，其特征在于，所述元件從可見光的波長光譜散射電磁輻射。

10.如前述權利要求中任一項所述的元件，其特征在于，所述元件包括對于所使用的所述波長光譜中的電磁輻射是透明的材料。

11.如前述權利要求中任一項所述的元件，其特征在于，在所述表面結構中形成區域，通過所述區域能夠實現電磁輻射的局部目標偏離。

12.如前述權利要求中任一項所述的元件，其特征在于，每一單個所述升高部分的幾何設計和尺寸通過確定的計算算法來計算。