[發明專利]聚合性組合物、樹脂成型體、復合體及疊層體

在審

• 申請號: 201480010407.0
• 申請日: 2014-03-17
• 公開（公告）號: CN105073824A
• 公開（公告）日: 2015-11-18
• 發明（設計）人: 川上修
• 申請（專利權）人: 日本瑞翁株式會社
• 主分類號: C08G61/08
• 分類號: C08G61/08;B32B15/08;B32B27/00;C08F26/06;C08L39/04;C08L83/08
• 代理公司: 北京市嘉元知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11484
• 代理人: 張永新

技術領域

本發明涉及聚合性組合物、樹脂成型體、復合體及疊層體。

背景技術

近年來，對于信息傳送，高頻化、高密度化等要求提高，高精度化、多層化、微細化的高性能電路基板的開發得以發展。對于用于高頻區的信息傳送的電路基板，正在尋求傳送損失小的材料，作為這樣的材料，因介質損耗角正切小且由此可減小傳送損失，由環烯烴單體聚合而得到的環烯烴聚合物已受到關注。

例如，專利文獻1中公開了一種如下地得到電路基板的方法：將雙面覆銅基板浸漬于三嗪化合物的醇溶液中，由此得到表面形成有由三嗪化合物形成的底涂層的雙面覆銅基板，在該雙面覆銅基板的底涂層上貼合由環烯烴單體開環聚合得到的環烯烴聚合物形成的成型體，并進行熱壓。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利第3862009號公報(國際公開第2003/024174號)

發明內容

發明要解決的問題

上述專利文獻1的技術是為了提高由環烯烴聚合物形成的成型體與雙面覆銅基板之間、即金屬(銅)與成型體之間的密合性(剝離強度)而在雙面覆銅基板上設置由三嗪化合物形成的底涂層的技術，由此，能夠提高由環烯烴聚合物形成的成型體與雙面覆銅基板之間的密合性。然而，如果采用該專利文獻1的技術，則為了形成由三嗪化合物形成的底涂層，需要將雙面覆銅基板浸漬于三嗪化合物的醇溶液中的工序、浸漬后除去醇的工序、以及將由環烯烴聚合物形成的成型體與形成有底涂層的雙面覆銅基板疊層的工序等多個工序，存在生產性低的問題。此外，在該專利文獻1的技術中，環烯烴聚合物與形成底涂層的三嗪化合物之間的相互作用未必充分，因此，利用底涂層來提高密合性的效果也有限，并不一定能夠實現充分的密合性(剝離強度)。

本發明的目的在于提供一種適用于制造在高頻區的介質損耗角正切小、且與金屬之間的剝離強度優異的疊層體的聚合性組合物、及樹脂成型體、以及使用它們而得到的復合體及疊層體。

解決問題的方法

本發明人等為了達到上述目的而進行了深入研究，結果發現：利用在環烯烴單體及易位聚合催化劑以外還配合有側鏈具有三嗪結構的聚合物的聚合性組合物，可以獲得在高頻區的介質損耗角正切小且剝離強度優異的疊層體，并基于這樣的認識而完成了本發明。

即，根據本發明，可提供：

[1]一種聚合性組合物，其含有環烯烴單體(A)、易位聚合催化劑(B)及具有三嗪結構的聚合物(C)。

[2]如上述(1)所述的聚合性組合物，其中，所述具有三嗪結構的聚合物(C)為通過使下述通式(1A)或(1B)所示的化合物與下述通式(2A)或(2B)所示的化合物進行縮合反應而得到的含三嗪結構聚合物(C1)，

[化學式1]

[上述通式(1A)及(1B)中，R¹為氫原子或碳原子數1～6的烷基，R²為任選具有取代基的碳原子數1～6的烷基、碳原子數2～6的烯基、碳原子數3～14的環烷基、碳原子數3～14的環烯基、或碳原子數6～12的芳基，X¹、X²各自獨立地為-H、-OR⁵、-SR⁶或-NR⁷R⁸所示的基團(R⁵～R⁸各自獨立地為氫原子或任選具有取代基的碳原子數1～12的烷基或碳原子數6～12的芳基)，X³為化學單鍵、或-R⁹-O-R¹⁰-、-R¹¹-S-R¹²-或-R¹³-C(＝O)-OR¹⁴-所示的基團(R⁹～R¹⁴各自獨立地為任選具有取代基的碳原子數1～6的亞烷基)，

上述通式(2A)及(2B)中，R³為氫原子或碳原子數1～6的烷基，R⁴為任選具有取代基的碳原子數1～6的烷基、碳原子數2～6的烯基、碳原子數3～14的環烷基、碳原子數3～14的環烯基或碳原子數6～12的芳基，

所述含三嗪結構聚合物可以是使用2種以上各自具有不同結構的化合物作為上述通式(1A)或(1B)所示的化合物及上述通式(2A)或(2B)所示的化合物中的一者或兩者，并使其進行縮合反應而得到的聚合物。]