[發明專利]改進的VJFET器件

有效

• 申請號: 201480010130.1
• 申請日: 2014-03-14
• 公開（公告）號: CN105190852B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發明（設計）人: 阿努普·巴拉;彼得·亞歷山德羅夫
• 申請（專利權）人: 美國聯合碳化硅公司
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 康建峰;李春暉

1.一種屏蔽超結結柵場效應晶體管JFET，包括：

超結電荷平衡區域(189)，所述超結電荷平衡區域(189)包括n-型導電的第一注入區(108)和p-型導電的第二注入區(109)；

埋置屏蔽區域(112)，所述埋置屏蔽區域(112)設置在第一方向上所述超結電荷平衡區域(189)的上方，所述埋置屏蔽區域(112)包括n-型導電的第一多個區(114)和p-型導電的第二多個區(112a)；

鏈路區域(113)，所述鏈路區域(113)設置在所述第一方向上所述超結電荷平衡區域(189)和所述埋置屏蔽區域(112)的上方，所述鏈路區域(113)包括n-型導電的第三多個區(113b)和p-型導電的第四多個區(113a)；

JFET區域(178)，所述JFET區域(178)設置在所述第一方向上所述超結電荷平衡區域(189)和所述埋置屏蔽區域(112)的上方，所述JFET區域(178)包括n-型導電的第五多個JFET溝道區(117)和p-型導電的第六多個p-柵極區(118)以控制通過JFET n-型溝道區的電流流動；

n-型導電的多個源極觸點區(120)，所述源極觸點區(120)與所述p-柵極區相鄰，并且在所述JFET溝道區(117)上方形成多個柵極-源極PN結，其中所述源極觸點區(120)與所述JFET溝道區(117)相比具有較高的摻雜濃度，并且每個n-型源極觸點區(120)形成在相鄰的JFET溝道區(117)的頂部上，其中所述源極觸點區(120)與所述JFET溝道區(117)之間的界面與原始晶片表面基本上平行，以及其中所述JFET溝道區(117)與相鄰的p-柵極區(118)之間的PN結界面是基本上垂直的，從而形成在所述JFET溝道區(117)中具有基本上垂直的電子電流流動的基本上垂直的JFET溝道，以及與所述原始晶片表面垂直并且從所述源極觸點區(120)通過整個JFET溝道區延伸到達所述鏈路區域(113)的筆直連續電子流動路徑；以及

源電極(126)，所述源電極(126)設置在所述第一方向上所述超結電荷平衡區域(189)、所述埋置屏蔽區域(112)和所述JFET區域(178)的上方；以及

電鏈路(119)，所述電鏈路(119)包括：

所述鏈路區域(113)的p-型導電的第一區(113a)，所述第一區電連接到所述埋置屏蔽區域(112)的p-型導電的第一區，并且在所述第一方向上與所述埋置屏蔽區域(112)的p-型導電的第一區至少部分地對準，以及

所述JFET區域(178)的p-型導電的第二區，所述第二區電連接到所述鏈路區域(113)的p-型導電的第一區(113a)和所述源電極(126)，

其中所述JFET區域(178)的p-型導電的第二區在所述第一方向上與所述鏈路區域(113)的p-型導電的第一區(113a)至少部分地對準，以及

其中所述電鏈路(119)將所述源電極(126)電連接到所述埋置屏蔽區域(112)，從而將所述埋置屏蔽區域(112)保持在源電極電位。