[發明專利]壓力獨立控制和平衡閥

有效

• 申請號: 201480010068.6
• 申請日: 2014-02-24
• 公開（公告）號: CN105103070B
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: P·沃羅維克;斯拉夫科·拉赫;格雷戈爾·博齊克
• 申請（專利權）人: 埃邁海卓尼克工程國際有限責任公司
• 主分類號: G05D7/01
• 分類號: G05D7/01
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司11262
• 代理人: 崔麗娟,鄭霞

1.一種具有壓力獨立控制和平衡閥的裝置，所述裝置適合在循環加熱/冷卻系統中使用，所述裝置包括底座、具有上游表面和下游表面的塞子以及活塞，其中所述底座、所述塞子和所述活塞同軸地對準，調節工具確定所述塞子的所述上游表面和所述底座之間的第一流動限制的大小，所述活塞是可操作的以響應于橫跨所述第一流動限制的壓差和預先確定的力移動，所述活塞相對于所述塞子的所述下游表面的位置確定第二流動限制的大小，從而在使用中維持橫跨所述第一流動限制的大體上恒定的壓差。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中所述塞子是大體上圓柱形的，并且所述塞子能夠相對于所述底座軸向地移動，并且其中，流體流速的控制通過改變所述塞子和所述底座之間的距離來實現。

3.根據權利要求1或2所述的裝置，其中所述塞子的所述下游表面是大體上圓錐形的，并且延伸到由所述活塞界定的管中。

4.根據權利要求1或2所述的裝置，其中所述活塞是大體上管狀的，并且具有至少部分地環繞所述塞子的所述下游表面的套疊式部分。

5.根據權利要求1或2所述的裝置，其中所述活塞能夠在所述塞子的中心縱向軸線的遠側與所述塞子形成環形接觸。

6.根據權利要求1或2所述的裝置，其中流體能夠流經所述裝置，并且所述塞子定位在所述流體的流動路徑內，所述塞子布置成所述塞子的縱向軸線平行于流動方向。

7.根據權利要求4所述的裝置，其中流體流動路徑在所述塞子和所述底座之間徑向向外延伸，并且在所述塞子的所述下游表面和所述活塞的套疊式管狀部分之間徑向向內延伸。

8.根據權利要求1或2所述的裝置，其中所述活塞具有凸緣和推動所述活塞以增大所述第二流動限制的大小的彈簧，所述凸緣具有低壓側和高壓側，所述凸緣的所述高壓側在使用中經受所述第一流動限制上游的第一流體壓力，從而產生推動所述活塞以減小所述第二流動限制的大小的力，所述凸緣的所述低壓側在使用中經受所述第一流動限制下游的第二流體壓力，從而產生推動所述活塞以增大所述第二流動限制的大小的力。

9.根據權利要求4所述的裝置，其中所述活塞的管狀的部分在內部和外部兩者均具有直徑的過渡，使得所述活塞的經受第二流體壓力的徑向面積等于所述活塞的經受第一流體壓力的徑向面積；和/或其中，在使用中，所述活塞的經受來自所述第二流動限制下游的第三流體壓力的徑向面積對于將朝向打開位置推動所述活塞的側面等于將朝向關閉位置推動所述活塞的側面。

10.一種具有壓力獨立控制和平衡閥的裝置，所述裝置適合在循環加熱/冷卻系統中使用，所述裝置包括底座、具有上游表面和下游表面的塞子以及活塞，控制器確定所述塞子的所述上游表面和所述底座之間的第一流動限制的大小，所述活塞是可操作的以響應于橫跨所述第一流動限制的壓差和預先確定的力移動，所述活塞相對于所述塞子的所述下游表面的位置確定第二流動限制的大小，從而在使用中維持橫跨所述第一流動限制的大體上恒定的壓差；其中所述塞子的所述下游表面由一個或更多個氣蝕抑制元件界定。

11.根據權利要求10所述的裝置，其中所述氣蝕抑制元件包括多個脊。

12.根據權利要求10所述的裝置，其中所述氣蝕抑制元件由多個圓柱形構件、或多個截頭圓錐形構件形成。

13.根據權利要求12所述的裝置，其中所述多個圓柱形構件、或所述多個截頭圓錐形構件彼此鄰接以形成多個臺階。

14.根據權利要求10所述的裝置，其中所述氣蝕抑制元件隨著距所述活塞和所述塞子之間的接觸點的距離而在高度和寬度上是逐漸地更大的，所述氣蝕抑制元件形成臺階式的、近似圓錐形的表面。

15.根據權利要求10-14中任一項所述的裝置，其中在包含所述塞子的中心軸線的平面中的連接所述氣蝕抑制元件的外邊緣的線與所述塞子的中心軸線在45度至50度匯合。

16.根據權利要求10-14中任一項所述的裝置，其中在包含所述塞子的中心軸線的平面中的連接所述氣蝕抑制元件的外邊緣的線與所述塞子的中心軸線在47度匯合。

17.根據權利要求10-12和14中任一項所述的裝置，其中所述氣蝕抑制元件由12個圓柱形構件形成。