[發明專利]通過小孔設計來控制濾波器中的耦合

在審

• 申請號: 201480009905.3
• 申請日: 2014-02-21
• 公開（公告）號: CN104995791A
• 公開（公告）日: 2015-10-21
• 發明（設計）人: P.B.科寧格頓;D.R.亨德里;S.J.庫珀
• 申請（專利權）人: 梅薩普萊克斯私人有限公司
• 主分類號: H01P1/208
• 分類號: H01P1/208
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 呂傳奇;劉春元

1.一種多模腔體濾波器，包括：

至少一個介質諧振器主體，結合了一片電介質材料，該片電介質材料具有使得其可以支持至少第一諧振模和至少隨第一模基本上退化的第二諧振模的形狀；

一層導電材料，與介質諧振器主體接觸并將其覆蓋；以及

穿孔區，提供該層導電材料中的一個或多個小孔以用于以下各項中的至少一個：

向介質諧振器主體輸入信號，以及

從介質諧振器主體輸出信號；

其中，將所述一個或多個小孔在層上確定尺寸和位置，使得所述穿孔區適合于：

并行地從主體外面向至少包括所述第一和第二模的一組所述模中直接地耦合信號，以及

并行地從所述組向主體外面直接地耦合信號。

2.根據權利要求1所述的多模腔體濾波器，其中，所述穿孔區包括至少第一小孔和第二小孔，所述第一小孔主要用于耦合到所述模中的一個，并且所述第二小孔主要用于耦合到所述模中的另一個。

3.根據權利要求1所述的多模腔體濾波器，其中，所述穿孔區中的至少一個小孔是沿著與所述模中的一個的相應小孔處的磁場平行的軸拉長的細長小孔。

4.根據權利要求3所述的多模腔體濾波器，其中，所述穿孔區中的至少第一小孔是沿著與所述模中的一個的第一小孔處的磁場平行的第一軸拉長的細長小孔，并且所述穿孔區中的第二小孔是沿著與所述模中的另一個的第二小孔處的磁場平行的第二軸拉長的細長小孔。

5.根據權利要求1所述的多模腔體濾波器，其中，所述穿孔區中的至少一個小孔是沿著與所述模中的一個的相應小孔處的磁場不平行但不垂直的軸拉長的細長小孔。

6.根據權利要求5所述的多模腔體濾波器，其中，所述穿孔區中的至少第一小孔是沿著與所述模中的一個的第一小孔處的磁場不平行但不垂直的第一軸拉長的細長小孔，并且所述穿孔區中的第二小孔是沿著與所述模中的另一個的第二小孔處的磁場不平行但不垂直的第二軸拉長的細長小孔。

7.根據權利要求1所述的多模腔體濾波器，其中，所述穿孔區中的至少一個小孔是沿著基本上平行于主體的表面的軸拉長的細長小孔。

8.根據權利要求7所述的多模腔體濾波器，其中，所述穿孔區包括至少第一小孔和第二小孔，所述第一小孔是沿著基本上平行于主體的表面的第一軸拉長的細長小孔，并且所述第二小孔是沿著基本上垂直于第一軸的第二軸拉長的細長小孔。

9.根據權利要求3至8中的任一項所述的多模腔體濾波器，其中：

所述穿孔區在所述主體的面上方延伸；

至少一個細長小孔被定位成使得其面積的80%在強磁耦合區中；以及

強磁耦合區是位于超出圓的面的一部分，該圓的中心是該面的質心，并且其半徑是最大圓的半徑的50%，該最大圓具有在可以被擬合在面上的質心處的中心。

10.根據權利要求3至8中的任一項所述的多模腔體濾波器，其中：

所述穿孔區在所述主體的面上方延伸；

至少一個細長小孔被定位成使得其面積的80%在強磁耦合區中；以及

所述強磁耦合區是位于超出規則多邊形的面的一部分：

其中心是該面的質心；

其面積是該面的面積的50%；以及

其擬合在面上。

11.根據權利要求2至10中的任一項所述的多模腔體濾波器，其中，所述小孔或所述小孔的所述至少一個是狹槽或其它筆直側面形狀、無定形形狀、曲線形狀和對稱形狀中的一個。

12.根據權利要求1所述的多模腔體濾波器，其中，所述穿孔區至少包括具有第一和第二分支的小孔，第一分支沿著與所述模中的一個的第一分支處的磁場平行的第一軸拉長，并且第二分支沿著與所述模中的另一個的第二分支處的磁場平行的第二軸拉長。

13.根據權利要求1所述的多模腔體濾波器，其中，所述穿孔區至少包括具有第一和第二分支的小孔，第一分支沿著與所述模中的一個的第一分支處的磁場不平行但不垂直的第一軸拉長，并且第二分支沿著與所述模中的另一個的第二分支處的磁場不平行但不垂直的軸拉長。

14.根據權利要求1所述的多模腔體濾波器，其中，所述穿孔區至少包括具有第一和第二分支的小孔，第一分支沿著基本上平行于所述主體的表面的第一軸拉長，并且第二分支沿著基本上垂直于第一軸的第二軸拉長。