[發(fā)明專利]光電子部件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480009843.6 | 申請日： | 2014-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN104995754B | 公開（公告）日： | 2018-11-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | T.瓦爾格赫塞;H-J.盧高爾;T.施瓦茨;S.伊萊克;J.莫斯布爾格 | 申請（專利權(quán)）人： | 奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/54 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 張濤;胡莉莉 |
| 地址： | 德國雷*** | 國省代碼： | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光電子 部件 及其 制造 方法 | ||
1.一種制造光電子部件（10）的方法，包括以下步驟：
-提供具有第一表面（101）的光電子半導(dǎo)體芯片（100）；
-將犧牲層（110）沉積在所述第一表面（101）上；
-形成模制體（400），所述光電子半導(dǎo)體芯片（100）被至少部分嵌入在所述模制體（400）中；
-去除所述犧牲層（110），
其中在沉積犧牲層（110）與形成模制體（400）之間將所述光電子半導(dǎo)體芯片（100）從晶片（120）中取出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，
其中在去除所述犧牲層（110）之前，執(zhí)行下面的步驟：
-部分去除所述模制體（400）以便致使所述犧牲層（110）能接近。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一個所述的方法，
所述光電子半導(dǎo)體芯片（100）的所述第一表面（101）被提供用于電池輻射的通道。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至2中的任何一個所述的方法，
其中導(dǎo)電接觸引腳（200）與所述光電子半導(dǎo)體芯片（100）一起被嵌入在所述模制體（400）中，所述導(dǎo)電接觸引腳（200）具有布置在所述接觸引腳（200）上的接觸引腳犧牲層（210），
其中所述接觸引腳犧牲層（210）與所述犧牲層（110）一起被去除。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，
包括下面的進(jìn)一步步驟：
-在所述光電子半導(dǎo)體芯片（100）的所述第一表面（101）處布置的電接觸（103）與所述接觸引腳（200）之間建立導(dǎo)電連接（530）。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至2中的任何一個所述的方法，
包括下面的進(jìn)一步步驟：
-在所述模制體（400）的頂表面（401）上布置光學(xué)透鏡（600）。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至2中的任何一個所述的方法，
其中所述光電子半導(dǎo)體芯片（100）被嵌入到所述模制體（400）中，使得所述光電子半導(dǎo)體芯片（100）的第二表面（102）與所述模制體（400）的底表面（402）齊平。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至2中的任何一個所述的方法，
其中將多個光電子半導(dǎo)體芯片（100）共同地嵌入到所述模制體（400）中，其中所述模制體（400）被劃分以便獲得多個光電子部件（10）。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在形成所述模制體（400）之前，執(zhí)行下面的步驟：
-將所述光電子半導(dǎo)體芯片（100）布置在載體（300）上，所述光電子半導(dǎo)體芯片（100）的第二表面（102）被定向成朝著所述載體（300）的上表面（301），
其中在形成所述模制體（400）之后從所述載體（300）去除所述模制體（400）。
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