[發明專利]檢測器、PET裝置和X射線CT裝置

有效

• 申請號: 201480009663.8
• 申請日: 2014-02-19
• 公開（公告）號: CN105009289B
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發明（設計）人: 藤井義磨郎;永野輝昌;山村和久;里健一;土屋龍太郎
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: H01L27/144
• 分類號: H01L27/144;G01T1/161;G01T1/20;H01L31/107
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;黃賢炬

1.一種檢測器，其特征在于：

是具備配線基板、二維狀相互隔開地配置在所述配線基板上的多個半導體芯片、以及配置在各個所述半導體芯片與所述配線基板之間的第1和第2凸塊電極的檢測器，

各個所述半導體芯片具備：

半導體基板，其具有二維狀配置的多個光檢測部；

絕緣層，其形成在所述半導體基板的表面上；

共用電極，其配置在所述絕緣層上；

讀出配線，其將各個所述光檢測部的降壓電阻與所述共用電極電連接；以及

貫通電極，其從所述共用電極經由所述半導體基板的貫通孔而延伸至所述半導體基板的背面，

各個所述光檢測部具備：

雪崩光電二極管，其具備第1導電型的第1半導體區域、以及與所述第1半導體區域構成pn結，并輸出載流子的第2導電型的第2半導體區域；以及

所述降壓電阻，其與所述雪崩光電二極管的所述第2半導體區域電連接，

所述第1凸塊電極將所述貫通電極與所述配線基板電連接；

所述第2凸塊電極將所述雪崩光電二極管的所述第1半導體區域與所述配線基板電連接，

具備多個絕緣體，在各個所述半導體芯片上，粘接有各個所述絕緣體，

所述共用電極設置于由所述光檢測部包圍的區域。

2.如權利要求1所述的檢測器，其特征在于：

閃爍器隔著所述絕緣體而位于各個所述半導體芯片的表面上。

3.如權利要求1或2所述的檢測器，其特征在于：

各個所述光檢測部具備與所述第2半導體區域電連接且沿著其外緣包圍所述第2半導體區域的表面電極。

4.如權利要求3所述的檢測器，其特征在于：

在令包含所述第2半導體區域的表面的平面為基準平面的情況下，從該基準平面到所述讀出配線的距離大于從該基準平面到所述表面電極的距離，

所述讀出配線位于鄰接的所述雪崩光電二極管之間。

5.如權利要求1或2所述的檢測器，其特征在于：

具備：

第1接觸電極，其與所述第2半導體區域接觸；以及

第2接觸電極，其具備與所述第1接觸電極不同的材料，并且配置在與所述第1接觸電極重疊的位置且與所述第1接觸電極接觸，

所述降壓電阻與所述第2接觸電極連續。

6.如權利要求5所述的檢測器，其特征在于：

所述第2接觸電極和所述降壓電阻具備SiCr。

7.一種PET裝置，其特征在于：

具備：

托架；以及

機架，其具有所述托架所處的開口，

以包圍所述機架的開口的方式配置有多個權利要求1至6中任一項所述的檢測器。

8.一種CT裝置，其特征在于：

具備：

托架；以及

機架，其具有所述托架所處的開口，并內置向所述開口內出射X射線的X射線源，

在來自所述X射線源的X射線所入射的位置，配置有多個權利要求1至6中任一項所述的檢測器。