[發明專利]碳化硅半導體器件

有效

• 申請號: 201480008928.2
• 申請日: 2014-02-04
• 公開（公告）號: CN104995739B
• 公開（公告）日: 2017-10-03
• 發明（設計）人: 山田俊介;堀井拓;木島正貴
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/28;H01L29/12;H01L29/417
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 李蘭,孫志湧

1.一種碳化硅半導體器件，包括：

碳化硅襯底；

主電極，所述主電極直接設置在所述碳化硅襯底上；

第一阻擋層，所述第一阻擋層設置在所述主電極上，所述第一阻擋層由不包含鋁的導電材料制成；以及

互連層，所述互連層設置在所述第一阻擋層上，所述互連層通過所述第一阻擋層與所述主電極隔開，所述互連層由包含鋁的材料制成，

所述碳化硅半導體器件進一步包括：

柵電極，所述柵電極設置在所述碳化硅襯底上；

層間絕緣膜，所述層間絕緣膜設置在所述柵電極上，以提供所述柵電極和所述互連層之間的絕緣，所述層間絕緣膜具有接觸孔，所述主電極與所述碳化硅襯底在所述接觸孔中接觸；以及

第二阻擋層，所述第二阻擋層直接設置在所述層間絕緣膜上，所述第二阻擋層將所述層間絕緣膜和所述主電極彼此隔開，所述第二阻擋層由與包含鋁的材料不同的材料制成，

其中，所述第一阻擋層包括位于所述互連層和所述層間絕緣膜之間的部分，并且

其中，所述主電極包括夾在所述第一阻擋層和所述第二阻擋層之間的部分。

2.根據權利要求1所述的碳化硅半導體器件，其中，所述主電極中添加有鋁。

3.根據權利要求1所述的碳化硅半導體器件，其中，所述第一阻擋層包括在所述主電極上延伸至所述主電極的端部的部分，以及從所述端部進一步延伸的部分。

4.根據權利要求1或3所述的碳化硅半導體器件，其中，所述第一阻擋層完全覆蓋所述主電極和所述層間絕緣膜。

5.根據權利要求1所述的碳化硅半導體器件，其中，所述第二阻擋層具有在所述主電極上延伸至所述主電極的端部的部分，以及從所述端部進一步延伸的部分。

6.根據權利要求1或5所述的碳化硅半導體器件，其中，所述第二阻擋層完全覆蓋所述層間絕緣膜。

7.根據權利要求1至3中的任一項所述的碳化硅半導體器件，其中，所述第一阻擋層具有多層結構。

8.根據權利要求1至3中的任一項所述的碳化硅半導體器件，其中，所述第一阻擋層包括金屬層。

9.根據權利要求8所述的碳化硅半導體器件，其中，所述金屬層是Ti層、TiW層、Au層以及Pt層中的一種。

10.根據權利要求1至3中的任一項的碳化硅半導體器件，其中，所述第一阻擋層包括TiN層。

11.根據權利要求10所述的碳化硅半導體器件，其中

所述第一阻擋層包括Ti層，所述Ti層設置在所述TiN層和所述主電極之間，所述Ti層與所述TiN層和所述主電極中的每一個接觸。