[發明專利]半導體光元件、半導體激光元件、及其制造方法、和半導體激光模塊元件以及半導體元件的制造方法

有效

• 申請號: 201480008713.0
• 申請日: 2014-02-13
• 公開（公告）號: CN104995805B
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 衣川耕平;谷口英廣;田島正文
• 申請（專利權）人: 古河電氣工業株式會社
• 主分類號: H01S5/16
• 分類號: H01S5/16;G02B6/122;G02B6/13
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 王亞愛

1.一種半導體光元件，

包括具有光波導層的半導體層疊部，

所述半導體層疊部，在所述半導體層疊部的最表面與所述光波導層之間包含具有抑制原子空孔擴散的功能的第1雜質、和具有促進原子空孔擴散的功能的第2雜質，

所述半導體層疊部包含所述雜質之中至少一方的含有量不同且在層疊方向上延伸的2個以上的區域，

所述2個以上的區域之中至少1個區域包含所述第1雜質和所述第2雜質雙方，

所述2個以上的區域彼此，所述光波導層的基于原子空孔擴散的混晶度與所述光波導層的帶隙能量不同。

2.根據權利要求1所述的半導體光元件，其特征在于，

所述半導體層疊部的所述2個以上的區域的所述第1雜質的含有量不同，

在所述2個以上的區域之中所述第1雜質的含有量較多的區域中，所述光波導層的帶隙能量較小。

3.根據權利要求1所述的半導體光元件，其特征在于，

所述半導體層疊部的所述2個以上的區域的所述第2雜質的含有量不同，

在所述2個以上的區域之中所述第2雜質的含有量較多的區域中，所述光波導層的帶隙能量較大。

4.根據權利要求1所述的半導體光元件，其特征在于，

所述2個以上的區域的邊界之中至少一個邊界沿著所述光波導層中的光的波導方向而形成，

所述2個以上的區域按每個區域，有效折射率不同。

5.根據權利要求1所述的半導體光元件，其特征在于，

所述半導體層疊部具有活性層，以作為所述光波導層，

所述2個以上的區域的邊界之中至少一個邊界橫切所述光波導層中的光的波導方向而形成。

6.根據權利要求1所述的半導體光元件，其特征在于，

所述半導體層疊部具有基于原子空孔擴散的混晶度與帶隙能量不同的至少2個活性層，以作為所述光波導層，

該半導體光元件從所述至少2個活性層，振蕩至少2個彼此不同的波長的激光光線。

7.一種半導體激光元件，是端面發光型的半導體激光元件，

包括具有活性層的半導體層疊部，

所述半導體層疊部具有非窗區域和窗區域，

所述非窗區域包括所述活性層的一部分且在層疊方向上延伸，

所述窗區域至少形成在與激光光線射出側端面相鄰的區域，并包括所述活性層的其他部分，并且在所述層疊方向上延伸，且通過原子空孔被擴散而使帶隙能量比所述非窗區域更高，

在所述半導體層疊部的最表面與所述活性層之間包含具有抑制所述原子空孔擴散的功能的第1雜質、和具有促進所述原子空孔擴散的功能的第2雜質，

所述非窗區域包含所述第2雜質，并且所述非窗區域的所述第1雜質的含有量多于所述窗區域的所述第1雜質的含有量。

8.一種半導體激光元件，是端面發光型的半導體激光元件，

包括具有活性層的半導體層疊部，

所述半導體層疊部具有非窗區域和窗區域，

所述非窗區域包括所述活性層的一部分且在層疊方向上延伸，

所述窗區域至少形成在與激光光線射出側端面相鄰的區域，并包括所述活性層的其他部分，并且在所述層疊方向上延伸，且通過原子空孔被擴散而使帶隙能量比所述非窗區域更高，

在所述半導體層疊部的最表面與所述活性層之間包含具有抑制所述原子空孔擴散的功能的第1雜質、和具有促進所述原子空孔擴散的功能的第2雜質，

所述窗區域包含所述第1雜質，并且所述窗區域的所述第2雜質的含有量多于所述非窗區域的所述第2雜質的含有量。

9.根據權利要求7所述的半導體激光元件，其特征在于，

所述窗區域的所述第1雜質的含有量比所述非窗區域的所述第1雜質的含有量少3.5×10¹³cm^-2以上。

10.根據權利要求8所述的半導體激光元件，其特征在于，

所述窗區域的所述第2雜質的含有量比所述非窗區域的所述第2雜質的含有量多3.5×10¹³cm^-2以上。

11.根據權利要求7所述的半導體激光元件，其特征在于，

所述第1雜質含有C、Zn、Mg、Be之中的至少1種。