[發明專利]用于空間分離原子層沉積的設備及制程密閉度在審
| 申請號: | 201480008701.8 | 申請日: | 2014-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN105026614A | 公開(公告)日: | 2015-11-04 |
| 發明(設計)人: | G·K·鄺;J·約德伏斯基;S·D·馬庫斯 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/44 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 徐偉 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 空間 分離 原子 沉積 設備 密閉 | ||
1.一種氣體分配板,包括:
具有長度、寬度、左側、右側和正面的主體;
在所述主體的所述正面處有開口的多個細長的氣口,所述細長的氣口沿著所述主體的所述寬度延伸;
左氣簾通道,所述左氣簾通道鄰接所述主體的所述左側并沿所述主體的所述長度延伸,并局限所述多個細長的氣口中的至少一些;及
右氣簾通道,所述右氣簾通道鄰接所述主體的所述右側并沿所述主體的所述長度延伸,并局限所述多個細長的氣口中的至少一些。
2.如權利要求1所述的氣體分配板,其中所述左氣簾通道和所述右氣簾通道中的一個或更多個局限所有的細長的氣口。
3.如權利要求1所述的氣體分配板,其中所述左氣簾通道和所述右氣簾通道中的一個或更多個局限少于所有的細長的氣口。
4.如權利要求1所述的氣體分配板,其中所述左氣簾通道和所述右氣簾通道中的一個或更多個包括凈化氣簾通道。
5.如權利要求1所述的氣體分配板,其中所述左氣簾通道和所述右氣簾通道中的一個或更多個包括真空簾通道。
6.如權利要求1所述的氣體分配板,其中所述左氣簾通道和所述右氣簾通道中的一個或更多個包括凈化氣簾通道和真空簾通道。
7.如權利要求6所述的氣體分配板,其中所述凈化氣簾通道位于所述真空簾通道與所述多個細長的氣口之間。
8.如權利要求6所述的氣體分配板,其中所述真空簾通道位于所述凈化氣簾通道與所述多個細長的氣口之間。
9.如權利要求1所述的氣體分配板,其中所述多個細長的氣口包括與第一反應氣體流體連通的至少一個第一反應氣口和與不同于所述第一反應氣體的第二反應氣體流體連通的至少一個第二反應氣口。
10.如權利要求9所述的氣體分配板,其中所述多個細長的氣口實質上由前導的第一反應氣口、第二反應氣口和拖尾的第一反應氣口依序組成。
11.如權利要求10所述的氣體分配板,其中所述多個細長的氣口進一步包括位于所述前導的第一反應氣口與所述第二反應氣口間的凈化氣口,以及位于所述第二反應氣口與所述拖尾的第一反應氣口間的凈化氣口,各凈化氣口通過真空口與這些反應氣口隔開。
12.如權利要求11所述的氣體分配板,其中所述細長的氣口在所述前導的第一反應氣口前與第二個第一反應氣口后依序包括真空口、凈化氣口和另一真空口。
13.如權利要求1所述的氣體分配板,其中所述多個細長的氣口包括一個第一反應氣口與一個第二反應氣口的至少一個重復單元。
14.如權利要求13所述的氣體分配板,其中有2至24個重復單元。
15.一種原子層沉積系統,包括:
處理腔室;
如權利要求1的氣體分配板;及
基板載具,用以相對于所述氣體分配板以來回運動方式沿著垂直于所述細長的氣體注入器的軸線的軸線往復移動基板。
16.如權利要求15所述的原子層沉積系統,其中所述基板載具使所述基板旋轉。
17.如權利要求16所述的原子層沉積系統,其中所述旋轉是連續的。
18.如權利要求16所述的原子層沉積系統,其中所述旋轉采用分立階段。
19.如權利要求18所述的原子層沉積系統,其中每一分立階段旋轉在所述基板載具不鄰接所述氣體分配板時發生。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





