[發明專利]發光器件和用于制造發光器件的方法

有效

• 申請號: 201480008311.0
• 申請日: 2014-01-31
• 公開（公告）號: CN104969367B
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: C.E.蒂姆梅林;M.A.維舒尤倫;T.洛佩滋;A.R.巴肯恩德
• 申請（專利權）人: 亮銳控股有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李靜嵐;景軍平

1.一種發光器件（100），包括：

襯底（102）；

布置在所述襯底上的發光二極管結構（106），所述二極管結構包括第一半導體層（108）、第二半導體層（112）和夾在所述第一半導體層和第二半導體層之間的有源區（110），所述第一半導體層和第二半導體層中的至少一個具有背離所述有源區的光輸出表面；

其中所述光輸出表面包括多個單獨的突出表面結構（104），每個突出表面結構具有峰高度、側壁斜率和相對于所述襯底的取向，所述多個突出表面結構包括第一組和第二組突出表面結構，所述第一組和第二組突出表面結構在所述峰高度、側壁斜率和相對于所述襯底的取向中的至少一個上不同，其中

所述多個突出表面結構（104）中的相鄰突出表面結構具有相對于所述襯底的不同取向，使得相鄰突出表面結構的傾斜側壁不直接地面對彼此。

2.根據權利要求1所述的發光器件（100），其中所述第一組突出表面結構呈現不同于所述第二組突出表面結構的峰高度和側壁斜率。

3.根據權利要求1或2所述的發光器件（100），其中至少一個突出表面結構具有一側壁斜率，所述側壁斜率具有相對于所述襯底大于50°的角度（122）。

4.根據權利要求1或2所述的發光器件（100），其中所述多個突出表面結構布置在偽隨機圖案中。

5.根據權利要求1或2所述的發光器件（100），其中突出表面結構的至少一個側壁斜率角不同于相鄰突出表面結構的側壁斜率角。

6.根據權利要求1或2所述的發光器件（100），其中所述第一半導體層和第二半導體層（108、112）之一是p型摻雜層，而另一個是n型摻雜層。

7.根據權利要求1或2所述的發光器件（100），其中所述第一半導體層和第二半導體層（108、112）之一是p型GaN層，而另一個是n型GaN層。

8.根據權利要求1或2所述的發光器件（100），其中所述第一半導體層和第二半導體層（108、112）之一包括形成所述光輸出表面的非摻雜或n摻雜緩沖區。

9.根據權利要求1或2所述的發光器件（100），其中所述襯底（102）選自包括藍寶石、Si和SiC的組。

10.根據權利要求1或2所述的發光器件（100），其中所述有源區（110）是多量子阱結構。