[發(fā)明專利]光學器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480007968.5
• 申請日: 2014-02-06
• 公開（公告）號: CN105164822B
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發(fā)明（設計）人: 安范模;樸勝浩;宋臺煥
• 申請（專利權）人: 普因特工程有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/54
• 代理公司: 北京安信方達知識產(chǎn)權代理有限公司 11262
• 代理人: 張春媛;閻娬斌

1.一種光學器件，包括：

金屬襯底，其中形成從金屬襯底的上表面朝向下方向的至少一個垂直絕緣層，和形成從金屬襯底的上表面向下直到預定深度的至少一個向下變窄的空腔，以在空腔的底表面暴露垂直絕緣層；

鍍金屬層，其形成在除垂直絕緣層之外的金屬襯底的上表面上；和

光學器件芯片，其在空腔的底表面處接合到鍍金屬層的一部分，其中光學器件芯片的一個電極電連接到鍍金屬層的接合表面，而光學器件芯片的另一電極引線接合到鍍金屬層的另一部分，其中相對于空腔底表面處的垂直絕緣層，所述鍍金屬層的一部分位于一側，而鍍金屬層的另一部分位于另一側，

其中空腔的內部用密封劑屏蔽，并在空腔主壁的傾斜表面的上端處部分地移除鍍金屬層，以在空腔主壁的傾斜表面的上端處使密封劑的一部分直接接合到金屬襯底。

2.根據(jù)權利要求1的光學器件，其中通過沿著空腔主壁的傾斜表面的上端與金屬襯底的上表面接觸處的邊緣加工，在金屬襯底處形成臺階部分，來部分移除空腔主壁的傾斜表面上端處的鍍金屬層。

3.一種制造光學器件的方法，包括：

制備其中形成垂直絕緣層的金屬襯底；

形成從金屬襯底的上表面向下直到預定深度的至少一個向下變窄的空腔，以在空腔的底表面暴露垂直絕緣層；

在除垂直絕緣層之外的金屬襯底的上表面上形成鍍金屬層；

部分地移除空腔主壁的傾斜表面上端處的鍍金屬層，以使插入空腔中的或填充空腔內部的密封劑在空腔主壁的傾斜表面上端處直接接合到金屬襯底；

通過以下方式將光學器件芯片接合到鍍金屬層的一部分：光學器件芯片的一個電極通過引線接合或焊接電連接到鍍金屬層的接合表面，而光學器件芯片的另一電極引線接合到鍍金屬層的另一部分，其中所述鍍金屬層的一部分位于相對于垂直絕緣層的一側，而鍍金屬層的另一部分位于相對于垂直絕緣層的另一側；和

用密封劑屏蔽空腔的內部，以使得密封劑在空腔主壁的傾斜表面上端處接合到金屬襯底的至少暴露的部分。

4.根據(jù)權利要求3的制造光學器件的方法，其中在部分地移除空腔主壁的傾斜表面上端處的鍍金屬層的步驟中，通過沿著空腔主壁的傾斜表面的上端與金屬襯底的上表面接觸處的邊緣加工，在金屬襯底處形成臺階部分，來部分移除鍍金屬層。