[發(fā)明專利]存儲器裝置及驗證數(shù)據(jù)路徑完整性的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480007494.4
• 申請日: 2014-01-08
• 公開（公告）號: CN104969198B
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 特里·格倫濟(jì)基
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02;G06F13/14
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 路勇

本發(fā)明提供用于驗證數(shù)據(jù)路徑完整性的方法及存儲器。在一種此方法中，在從存儲器裝置的第一寄存器讀取第一組數(shù)據(jù)的同時將第二組數(shù)據(jù)寫入到所述存儲器裝置的陣列。將所述所讀取的第一組數(shù)據(jù)與寫入到所述第一寄存器的所述數(shù)據(jù)進(jìn)行比較以驗證數(shù)據(jù)路徑完整性。

相關(guān)申請案

本申請案主張2013年1月14日申請的第61/752,137號美國臨時申請案及2013年6月17日申請的第13/919,135號美國非臨時申請案的權(quán)益，所述申請案以全文引用的方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本實施例大體上涉及存儲器裝置且特定實施例涉及存儲器裝置中的數(shù)據(jù)路徑完整性。

背景技術(shù)

存儲器裝置(其有時在本文中稱為“存儲器”)通常提供為計算機(jī)或其它電子系統(tǒng)中的內(nèi)部半導(dǎo)體集成電路。存在許多不同類型的存儲器，其包含隨機(jī)存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)、同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SDRAM)及快閃存儲器。

快閃存儲器裝置已發(fā)展為用于廣泛電子應(yīng)用的非易失性存儲器的流行來源。快閃存儲器裝置通常使用允許高存儲器密度、高可靠性及低功率消耗的單晶體管存儲器單元。通過對電荷存儲結(jié)構(gòu)(例如浮動?xùn)艠O或捕集層或其它物理現(xiàn)象)的編程所引起的所述單元的閾值電壓的變化確定每一單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)。利用快閃存儲器裝置的常見電子系統(tǒng)包含(但不限于)個人計算機(jī)、個人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字媒體播放器、數(shù)字記錄器、游戲、家電、車輛、無線裝置、蜂窩式電話及可裝卸式存儲器模塊，且快閃存儲器的用途不斷擴(kuò)大。

快閃存儲器通常利用被稱為NOR快閃及NAND快閃的兩個基本架構(gòu)中的一者。所述名稱源自用于讀取所述裝置的邏輯。在NOR快閃架構(gòu)中，一串存儲器單元與耦合到數(shù)據(jù)線(例如通常被稱為數(shù)字(例如，位)線的數(shù)據(jù)線)的每一存儲器單元并聯(lián)耦合。在NAND快閃架構(gòu)中，一串存儲器單元僅與耦合到位線的所述串的第一存儲器單元串聯(lián)耦合。

隨著電子系統(tǒng)的性能及復(fù)雜性增加，對系統(tǒng)中的額外存儲器的需求也增加。然而，為了不斷降低所述系統(tǒng)的成本，必須將部件數(shù)量保持在最小值。可通過使用例如多電平單元(MLC)的技術(shù)增加集成電路的存儲器密度來完成此目標(biāo)。例如，MLC NAND快閃存儲器為非常具成本效益的非易失性存儲器。

存儲器裝置的一個以上部分可影響呈位錯誤形式的數(shù)據(jù)完整性。例如，位錯誤率可由數(shù)據(jù)路徑位錯誤及陣列位錯誤引起。陣列路徑錯誤通常由數(shù)據(jù)單元未正確編程引起或由具有與其所要閾值電壓的閾值電壓偏移的單元引起。

存儲器裝置(例如NAND存儲器裝置)中的數(shù)據(jù)路徑包括介于存儲器單元陣列、寄存器(例如頁寄存器及高速緩沖存儲寄存器)與輸入/輸出(I/O)墊之間的物理路徑，其中導(dǎo)電跡線連接所述組件。I/O墊通常外接于所述存儲器裝置的外部，且可通過裸片的大部分在物理上與所述陣列及寄存器分離。數(shù)據(jù)路徑錯誤可歸因于(例如)信號完整性問題、功率傳輸問題、接地反彈、噪聲及類似問題而發(fā)生。此類數(shù)據(jù)路徑錯誤可使陣列路徑錯誤(陣列錯誤為單元故障或Vt偏移)的比率或嚴(yán)重程度進(jìn)一步惡化或增大。數(shù)據(jù)路徑錯誤可為偶發(fā)的，但大多不可預(yù)測。數(shù)據(jù)路徑位錯誤可被稱為硬錯誤。

存儲器裝置的控制器通常使允許所述控制器修正某個水平的原始位錯誤率(RBER)的許多錯誤校正可用。使用錯誤校正方案(例如低密度奇偶校驗(LDPC)及其它類型的錯誤校正)，硬錯誤更難以校正且使用更多數(shù)量的任何可用錯誤校正。當(dāng)存儲器裝置錯誤發(fā)生時，用戶通常不能區(qū)分是哪一類型的錯誤(數(shù)據(jù)路徑位錯誤或陣列位錯誤)引起所述錯誤。

出于上述原因且出于所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員在閱讀且理解本說明書之后將明白的其它原因，在此項技術(shù)中需要區(qū)分存儲器中的數(shù)據(jù)路徑位錯誤與陣列位錯誤。

發(fā)明內(nèi)容