[發明專利]使用動態驗證電平對選擇柵極晶體管和存儲器單元進行編程

有效

• 申請號: 201480007201.2
• 申請日: 2014-01-29
• 公開（公告）號: CN105164755B
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發明（設計）人: 董穎達;辛西亞·許;東谷政昭;大和田憲
• 申請（專利權）人: 桑迪士克科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王珊珊

1.一種用于對存儲器設備中的晶體管進行編程的方法，包括：

進行多個編程驗證迭代(PV1至PV15)中的每個編程驗證迭代，所述多個編程驗證迭代包括針對在編程操作中待被編程的晶體管(211至219，230，240，250)的集合的編程驗證迭代，每個晶體管最初具有指示所述晶體管待被編程的編程狀態，進行每個編程驗證迭代包括：向所述晶體管的集合施加編程脈沖(PP1至PP15)，確定具有所述編程狀態的所述晶體管中的至少一些晶體管的閾值電壓是否超過鎖定驗證電壓(Vva_lo，Vvb_lo，Vvc_lo)，以及針對其閾值電壓被確定為超過所述鎖定驗證電壓的晶體管中的每個晶體管，在所述編程操作的剩余部分中將所述編程狀態改變成鎖定狀態，在針對所述晶體管的集合的所述編程驗證迭代中的數個編程驗證迭代(PV4至PV7，PV7至PV10，PV10至PV13)中，所述鎖定驗證電壓被階躍式升高。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，

在針對所述晶體管的集合的所述編程驗證迭代中的在所述數個編程驗證迭代之前的一個或更多個初始編程驗證迭代中，所述鎖定驗證電壓處于與所述編程狀態對應的固定初始電平(Vva_init，Vvb_init，Vvc_init)。

3.根據權利要求2所述的方法，還包括：

在所述一個或更多個初始編程驗證迭代之后，在所述編程操作的預定編程驗證迭代處開始所述數個編程驗證迭代。

4.根據權利要求2所述的方法，還包括：

在所述編程操作期間基于所述晶體管的集合的編程進度來自適應地確定何時開始所述數個編程驗證迭代。

5.根據權利要求2所述的方法，還包括：

確定所述晶體管的集合的固有閾值電壓分布；以及

當所述固有閾值電壓分布相對較寬時將固定初始電平設定為相對較低，以及當所述固有閾值電壓分布相對較窄時將所述固定初始電平設定為相對較高。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，還包括：

在所述鎖定驗證電壓被階躍式升高到最大容許電平時，終結所述數個編程驗證迭代并且開始針對所述晶體管的集合的所述編程驗證迭代中的一個或更多個最終編程驗證迭代(PV8，PV11，PV14和PV15)，

在所述一個或更多個最終編程驗證迭代中，所述鎖定驗證電壓處于所述最大容許電平(Vva_mx，Vvb_mx，Vvc_mx)。

7.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，其中，

所述數個編程驗證迭代是連續的編程驗證迭代。

8.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，還包括：

在針對所述晶體管的集合的所述編程驗證迭代中的每個編程驗證迭代的所述編程脈沖期間，針對具有所述鎖定狀態的晶體管將相應的漏極電壓(Vbl)設定為處于鎖定電平(Vdd)，并且針對具有所述編程狀態的晶體管將相應的漏極電壓設定為處于編程電平(0V或Vqpw)。

9.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，其中，

對于所述晶體管中的至少一些晶體管，在將所述編程狀態改變成所述鎖定狀態之后閾值電壓增大，從而使所述晶體管的集合中的快速編程晶體管的閾值電壓更接近所述晶體管的集合中的慢速編程晶體管的閾值電壓。

10.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，其中，

在所述數個編程驗證迭代中的每個編程驗證迭代中，所述鎖定驗證電壓使用固定的步長來階躍式升高。

11.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，其中，

在所述數個編程驗證迭代中的每個編程驗證迭代中，所述鎖定驗證電壓以逐步更小的步長來階躍式升高。