[發(fā)明專利]電阻式隨機存取存儲器(RERAM)與導電橋式隨機存取存儲器(CBRAM)交叉耦合的熔絲與讀取方法及系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480006918.5 | 申請日： | 2014-03-07 |
| 公開（公告）號： | CN105027218B | 公開（公告）日： | 2019-07-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 特拉楊·邦塔斯;克勞迪-杜米特魯·內(nèi)基福爾;朱利安·杜米特魯;肯特·休依特 | 申請（專利權(quán)）人： | 密克羅奇普技術(shù)公司 |
| 主分類號： | G11C17/16 | 分類號： | G11C17/16;G11C13/00;G11C7/06;G11C14/00;G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 沈錦華 |
| 地址： | 美國亞*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電阻 隨機存取存儲器 reram 導電 cbram 交叉 耦合 讀取 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種電阻式隨機存取存儲器，其包括經(jīng)配置為存儲器單元的第一電阻式存儲器裝置及第二電阻式存儲器裝置及與所述第一及第二電阻式存儲器裝置耦合以讀取其導電狀態(tài)值的交叉耦合讀取電路，其中當所述第一及第二電阻式存儲器裝置針對不同導電狀態(tài)值經(jīng)編程時存儲一位值,
其中第一及第二晶體管的源極與所述第一及第二電阻式存儲器裝置中的相應一者耦合，其中所述源極通過連接的第一及第二電阻式存儲器裝置而簡并且其中第一及第二寄生電容器耦合于所述第一及第二晶體管的漏極與參考電勢之間；且
二極管連接晶體管，其耦合到所述第一及第二晶體管且經(jīng)調(diào)適以汲入?yún)⒖茧娏鳎?/p>
其中所述電阻式隨機存取存儲器經(jīng)配置以預充電所述第一及第二寄生電容器且通過所述第一及第二晶體管循序地放電所述第一及第二寄生電容器，其中由于不同的導電狀態(tài)，所述電容器以不同坡度放電，所述坡度由所述交叉耦合讀取電路檢測。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中所述交叉耦合讀取電路包括鎖存器，所述鎖存器由所述寄生電容器上的電荷控制。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電阻式隨機存取存儲器，其中所述鎖存器在所述寄生電容器的預充電期間從所述第一及第二晶體管的所述漏極斷開。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其包括經(jīng)配置以將第三及第四晶體管的源極與電源電壓耦合的預充電轉(zhuǎn)換電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電阻式隨機存取存儲器，其中所述鎖存器包括：
第三及第四晶體管，所述第三及第四晶體管的源極分別與所述第一及第二晶體管的漏極耦合，其中所述第三晶體管的柵極與所述第四晶體管的所述源極耦合且所述第四晶體管的柵極與所述第三晶體管的所述源極耦合；
第一開關(guān)，其經(jīng)配置以將所述第三及第四晶體管的漏極與電源電壓耦合；
第五及第六晶體管，所述第五及第六晶體管的源極通過第二開關(guān)與所述參考電勢耦合且其中所述第五晶體管的柵極與所述第二及第六晶體管的漏極耦合且所述第六晶體管的柵極與所述第一及第四晶體管的所述漏極耦合。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的電阻式隨機存取存儲器，其中當所述第一及第二電阻式存儲器裝置中的一者經(jīng)編程以具有第一導電狀態(tài)值而另一者經(jīng)編程以具有第二導電狀態(tài)值時，所述一位值存儲在所述電阻式隨機存取存儲器中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電阻式隨機存取存儲器，其中所述第一導電狀態(tài)值具有比所述第二導電狀態(tài)值更低的電阻。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電阻式隨機存取存儲器，其中所述第一導電狀態(tài)值具有比所述第二導電狀態(tài)值更高的電阻。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電阻式隨機存取存儲器，其中當所述第一電阻式存儲器裝置在所述第一導電狀態(tài)值且所述第二電阻式存儲器裝置在所述第二導電狀態(tài)值時，所述一位值為邏輯一。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電阻式隨機存取存儲器，其中當所述第一電阻式存儲器裝置在所述第二導電狀態(tài)值且所述第二電阻式存儲器裝置在所述第一導電狀態(tài)值時，所述一位值為邏輯零。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電阻式隨機存取存儲器，其中當所述第一電阻式存儲器裝置在所述第一導電狀態(tài)值且所述第二電阻式存儲器裝置在所述第二導電狀態(tài)值時，所述一位值為邏輯零。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電阻式隨機存取存儲器，其中當所述第一電阻式存儲器裝置在所述第二導電狀態(tài)值且所述第二電阻式存儲器裝置在所述第一導電狀態(tài)值時，
所述一位值為邏輯一。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中所述電阻式隨機存取存儲器為導電橋式隨機存取存儲器。
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